用反接线测量电磁式电流互感器的介损，一次加压，二次开路，对其测量介损tgδ值影响不大。
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电磁式电压互感器的例行介损测量属于哪类检修。（）
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变压器低电压试验验收进行介质损耗因数、电容量测量时，测量每一绕组连同套管对地及其余绕组间的介损、电容值，并将测试温度下的介损值换算到（）℃。
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用正接线法测量绝缘介损一定比反接法测量的介损值要大。
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测量变压器整体对地介损tgδ，可采用介损仪正接线及反接线。
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电流互感器一次侧反接，为确保极性正确，二次侧不能反接。
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用反接线方式，测量一台110kV电流互感器主绝缘介损tgδ，如介损仪本体接地不良，与其介损测量结果无关。
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对110kV及以上电压等级互感器，每年必须进行一次（）的介损试验。
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电磁式电压互感器出厂试验验收进行绝缘电阻测量时，一次绕组对二次绕组及外壳，各二次绕组间及其对外壳的绝缘电阻不低于（）。
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测量互感器、套管等小电容量试品的介损tgδ时，如试品周围近距离内有大面积接地物体（墙壁、构架、栅栏等），通过（）耦合，会影响测量结果的真实性；对大电感试品，应将线圈首尾（），以消除电感、电容对测量准确度的影响。
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比较法测量电磁式电压互感器变比的接线方法，将被试电压互感器与标准电压互感器一次侧（），二次侧各接一只0.5级的电压表，被试电压互感器其它二次绕组（）。
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采用末端屏蔽法是测量串级式电压互感器介损tgδ的方法之一。其方法是高压端A加压，X端和底座接地，二、三次短路后，引入介损仪，采用正接线。
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采用末端屏蔽法测量串级式电压互感器的介损tgδ时，其值主要反映（）
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测量35kV及以上全绝缘的电压互感器的介损tgδ，其绕组一次首尾端短接后加压，其余绕组首尾端短路接地，此方法一般称为（）。
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测量主绝缘为电容式结构的电流互感器的的介损及电容量时，有末屏的应尽量使用（）进行测量。
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110（66）kV-220kV变压器出厂验收时，应测量每一绕组连同套管对地及其余绕组间的介损、电容值，并将测试温度下的介损值换算到（）℃。
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测量C1与C2相串联的电容式电压互感器绝缘介损时，一般情况下C1＜C2/5，所以测量时主要反映（C1）的介损值。
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变压器出厂验收阶段进行绕组对地及绕组间绝缘电阻测量，测量每一绕组连同套管对地及其余绕组间的介损、电容值，并将测试温度下的介损值换算到（）。
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35kV变压器出厂验收时，应测量每一绕组连同套管对地及其余绕组间的介损、电容值，并将测试温度下的介损值换算到（）℃。
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用未端屏蔽法测量220kV串级式电压互感器的介损tgδ时，其电容量应是整体电容量的（）。
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500（330）kV-1000kV变压器出厂验收时，应测量每一绕组连同套管对地及其余绕组间的介损、电容值，并将测试温度下的介损值换算到（）℃。
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使用常规法测量电压互感器的介损tgδ误差较大的原因主要是（）。
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测量变压器绕组的介损值时，介损测试仪应该使用正接法。（）
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小电容（小于500PF）试品，主要有电容型套管、电容型电流互感器等，对这些试品采用介损仪正、反接线进行测量，测得的介损tgδ值是一样的。
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当变压器电容型套管对地绝阻低于1000MΩ时，应测量末屏对地的介损，加压（）。
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