测量变压器整体对地介损tgδ，可采用介损仪正接线及反接线。
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当测到DW8—35断路器合闸对地的介损tgδ若超过规程规定，则可认为该相两支电容套管的tgδ值也超过规程值。
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在现场测量小电容量试品的介损tgδ值时，使测量结果引入诸多误差的外界因素主要指哪些？
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采用QS1电桥测量串级式电流互感器支架介损tgδ值时，可选择接线方法是（）。
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测量一台110kV电力变压器，高压绕组对中+低压绕组及地介损损tgδ，当tgδ不合格时，一般表明其高压套管tgδ不合格。
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若试品的电容量为10000pF，测量介损tgδ时加压10kV，试验变压器容量选择应不小于（）kVA。
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用反接线方式，测量一台110kV电流互感器主绝缘介损tgδ，如介损仪本体接地不良，与其介损测量结果无关。
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测得一台LCWD2—110型110kV电流互感器，其主绝缘介损tgδ值为0.33%；末屏对地的介损介损tgδ值为16.3%，以下几种诊断意见，其中（）哪项是错误的。
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一台LCWD2-220电流互感器主绝缘的介损tgδ值为0.33%，绝缘电阻10000MΩ，末屏对地绝缘电阻为60MΩ，介损tgδ值16.3%，是否可以继续运行（）。
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在一般情况下，介损tgδ试验主要反映设备绝缘的整体缺陷，而对局部缺陷反映不灵敏。
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分别测得几个试品的介损值为tgδ1、tgδ2„„tgδn，则并联在一起测得的介损值为这些值中的（）。
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用QS1交流电桥测量介损tgδ出现负值的主要原因是磁场干扰。
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采用末端屏蔽法是测量串级式电压互感器介损tgδ的方法之一。其方法是高压端A加压，X端和底座接地，二、三次短路后，引入介损仪，采用正接线。
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用正接接线方式，测量一台110kV耦合电容器主绝缘介损tgδ，如介损仪的Cx与其耦合电容的末屏（接地小套管）接触不良，影响介损测量结果准确性。
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采用末端屏蔽法测量串级式电压互感器的介损tgδ时，其值主要反映（）
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当被试品电容量很小，测量其介损tgδ时，介损仪的高压引线与被试品的杂散电容对测量的影响不可忽视。
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测量CVT分接电容C2的介损和电容量时，C2的“δ”点接介损电桥的高压端，主电容C1高压端接介损电桥的“Cx”端，用正接线法测试。由于“δ”点绝缘水平有限，为保护“δ”，试验电压不超过（）。
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变压器出厂验收阶段进行绕组对地及绕组间绝缘电阻测量，测量每一绕组连同套管对地及其余绕组间的介损、电容值，并将测试温度下的介损值换算到（）。
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用反接线测量电磁式电流互感器的介损，一次加压，二次开路，对其测量介损tgδ值影响不大。
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在现场采用介损仪测量设备的介损tgδ时，若存在电场干扰，则在任意测试电源极性的情况下，所测得tgδ值一定比真实的tgδ增大。
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用未端屏蔽法测量220kV串级式电压互感器的介损tgδ时，其电容量应是整体电容量的（）。
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使用常规法测量电压互感器的介损tgδ误差较大的原因主要是（）。
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小电容（小于500PF）试品，主要有电容型套管、电容型电流互感器等，对这些试品采用介损仪正、反接线进行测量，测得的介损tgδ值是一样的。
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采用QS1电桥测量串级式电压互感器支架介损tgδ值时，可选择的接线方法是（）。
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35kV变压器出厂验收时，绕组连同套管对地及其余绕组间的介损tgδ不大于（)%
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