分别测得几个试品的介损值为tgδ1、tgδ2„„tgδn，则并联在一起测得的介损值为这些值中的（）。
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当测到DW8—35断路器合闸对地的介损tgδ若超过规程规定，则可认为该相两支电容套管的tgδ值也超过规程值。
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在现场测量小电容量试品的介损tgδ值时，使测量结果引入诸多误差的外界因素主要指哪些？
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测量一台110kV电力变压器，高压绕组对中+低压绕组及地介损损tgδ，当tgδ不合格时，一般表明其高压套管tgδ不合格。
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若试品的电容量为10000pF，测量介损tgδ时加压10kV，试验变压器容量选择应不小于（）kVA。
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测得一台LCWD2—110型110kV电流互感器，其主绝缘介损tgδ值为0.33%；末屏对地的介损介损tgδ值为16.3%，以下几种诊断意见，其中（）哪项是错误的。
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一台LCWD2-220电流互感器主绝缘的介损tgδ值为0.33%，绝缘电阻10000MΩ，末屏对地绝缘电阻为60MΩ，介损tgδ值16.3%，是否可以继续运行（）。
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测得220kV电流互感器主电容量为1000PF，介损tgδ值为0.6%，在1.15倍的额定电压下，介质的功率P约为（）。
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测量互感器、套管等小电容量试品的介损tgδ时，如试品周围近距离内有大面积接地物体（墙壁、构架、栅栏等），通过（）耦合，会影响测量结果的真实性；对大电感试品，应将线圈首尾（），以消除电感、电容对测量准确度的影响。
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采用末端屏蔽法测量串级式电压互感器的介损tgδ时，其值主要反映（）
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测量35kV及以上全绝缘的电压互感器的介损tgδ，其绕组一次首尾端短接后加压，其余绕组首尾端短路接地，此方法一般称为（）。
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分析小电容量试品的介质损耗因素tgδ测量结果时，应特别注意哪些外界因素的影响？
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当被试品电容量很小，测量其介损tgδ时，介损仪的高压引线与被试品的杂散电容对测量的影响不可忽视。
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通常情况下，若测得串级式电压互感器介损tgδ值很大，可能的原因（排除外界影响因素后）是（）。
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用倒相法消除外电场对tgδ测量的干扰，需要先在试验电源正、反相两种极性下，测量两组数据：C1tgδ1、C2tgδ2，然后按公式（）计算出试品的实际的tgδ值。
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用反接线测量电磁式电流互感器的介损，一次加压，二次开路，对其测量介损tgδ值影响不大。
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在现场采用介损仪测量设备的介损tgδ时，若存在电场干扰，则在任意测试电源极性的情况下，所测得tgδ值一定比真实的tgδ增大。
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用未端屏蔽法测量220kV串级式电压互感器的介损tgδ时，其电容量应是整体电容量的（）。
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使用常规法测量电压互感器的介损tgδ误差较大的原因主要是（）。
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用QS1型西林电桥测量小电容试品的tgδ时，如连接试品的Cx引线过长，则应从测得值中减去引线引入的误差值，此误差值为（）。（其中C0为Cx引线增长部分的电容值；R3为测试时桥臂R3的读数；R4为桥臂R4的值）。
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小电容（小于500PF）试品，主要有电容型套管、电容型电流互感器等，对这些试品采用介损仪正、反接线进行测量，测得的介损tgδ值是一样的。
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采用QS1交流电桥在现场测量设备的tgδ时，若试品的电容量较小，测量中出现负值，一定是存在着电场干扰。
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在相同条件下，用QSl西林电桥测量小电容试品的tgδ和Cx时，用正接线方法和反接线方式测量的结果是完全相同的。()
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若设备组件之一的绝缘试验值为tgδ1=5%,C1=250pF；而设备其余部分绝缘试验值为tgδ2=0.4%,C2=10000pF,则设备整体绝缘试验时,其总的tgδ值与（）接近
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35kV变压器出厂验收时，绕组连同套管对地及其余绕组间的介损tgδ不大于（)%
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