小电容（小于500PF）试品，主要有电容型套管、电容型电流互感器等，对这些试品采用介损仪正、反接线进行测量，测得的介损tgδ值是一样的。
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在分析小电容量试品的介质损耗因素的测量结果时，应特别注意的外界因素是（）。
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若试品的电容量为10000pF，加10kV电压测量介损，试验变压器的容量选择应不小于（）。
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在现场测量小电容量试品的介损tgδ值时，使测量结果引入诸多误差的外界因素主要指哪些？
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电容型套管有哪些优点？
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在现场测量小电容量试品的介质tanδ值时，受外界影响的因素很多，往往引入很多误差，这类试品主要是指（）。
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若试品的电容量为10000pF，测量介损tgδ时加压10kV，试验变压器容量选择应不小于（）kVA。
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使用QS1交流电桥测量试品的电容量约为15000pF，加压10kV，电桥分流器的位置选择哪一档为宜（）。
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SIEMENS公司3AT2／3AT3-EI型断路器每相电容器的电容量为（）pF。
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测量互感器、套管等小电容量试品的介损tgδ时，如试品周围近距离内有大面积接地物体（墙壁、构架、栅栏等），通过（）耦合，会影响测量结果的真实性；对大电感试品，应将线圈首尾（），以消除电感、电容对测量准确度的影响。
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试品电容量约为15000pf，当用10kvqs1型西林电桥测量其tgδ及C时，电桥分流器档位宜设置在()档
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直流高电压试验，试验小电容量的试品并要求准确读取电流值时，例如测量带并联电阻的阀型避雷器电导电流时，应加滤波电容器。滤波电容器一般取（）。
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使用QS1交流电桥测量试品的电容量约为1500PF、加压10kV，电桥分流器的位置选择（）档为宜。
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变压器用油纸电容型套管的主要组件包括：（）
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用QS1型西林电桥测量小电容试品的tgδ时，如连接试品的Cx引线过长，则应从测得值中减去引线引入的误差值，此误差值为（）。（其中C0为Cx引线增长部分的电容值；R3为测试时桥臂R3的读数；R4为桥臂R4的值）。
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电容的参数主要有（）和（）1F=（）；1UF=（）PF电容和电阻都是电路中的基本元件，但它们在电路中所起的作用却是不同的，从能量上看，电容是（）元件，电阻是（）元件。
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有一电子线路需用一只耐压为1000V、电容为8pF的电容器。现在只有四只耐压500V、电容量为8pF的电容器。因此只需要把四只电容器就能满足要求（）
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QS1电桥内有一套低压电源和低压标准电容器,可测量电容量为300PF~100μF的试品。
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【单选题】C1和C2两电容器分别标明“200 pF、500 V”和“300 pF、900 V”.（1）把它们串联起来后等值电容是多少？（2）如果两端加上1000 V的电压，是否会击穿？ 注：此题由计算题改编，请注意结题过程。
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【单选题】C1和C2两个电容器，其上分别标明 200 pF（电容量)、500 V（耐压值)和 300 pF、900 V．把它们串连起来在两端加上1000 V电压，则
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分析压电加速度计的频率响应特性。若电压放大器总的输入电容C=500pF，总的输入电阻R=968MΩ，传感器机械系统固有频率f0=30kHz，阻尼比为0.5。求幅值误差小于5%时的使用频率范围。
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对于电容量较大的试品（例如套管、互感器等），测量tan δ能有效地发现局部集中性缺陷和整体分布性缺陷。但对电容量较小的试品（例如大中型发电机、变压器、电力电缆、电力电容器等）测量tanδ只能发现整体分布性缺陷。
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某台电力设备需进行72kV的工频耐压试验，被试品的电容量为4200pF，现有数台容量不同的10/0.4（kV）的工频试验变压器，下列kVA的试验变压器符合要求（）
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QS1电桥内有一套低压电源和低压标准电容器,可测量电容量为300PF~100F的试品（）
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SS4B型机车小、辅修工艺中规定电容无膨胀、渗油现象,测量71C、72C、81C、82C电容值不得小于10µF（）
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