在现场测量小电容量试品的介质tanδ值时，受外界影响的因素很多，往往引入很多误差，这类试品主要是指（）。
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在分析小电容量试品的介质损耗因素的测量结果时，应特别注意的外界因素是（）。
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在现场测量小电容量试品的介损tgδ值时，使测量结果引入诸多误差的外界因素主要指哪些？
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测量电气设备介质损耗角正切值tanδ时，影响测试结果的因数包括（）。
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测量小容量被试品的介质损耗时，高压引线与被试品的夹角不小于（）。
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若试品的电容量为10000pF，测量介损tgδ时加压10kV，试验变压器容量选择应不小于（）kVA。
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测量互感器、套管等小电容量试品的介损tgδ时，如试品周围近距离内有大面积接地物体（墙壁、构架、栅栏等），通过（）耦合，会影响测量结果的真实性；对大电感试品，应将线圈首尾（），以消除电感、电容对测量准确度的影响。
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电流互感器出厂试验，对于正立式电容型绝缘结构油浸式电流互感器的地屏（末屏），在测量电压为3kV下的介质损耗因数（tanδ）允许值不应大于（）。
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当被试品具有较大电容时，tanδ测试不能有效反映试品中可能存在的局部缺陷。
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tanδ能反映绝缘的整体性缺陷和小电容试品中的严重局部性缺陷。
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测量20kV及以上非纯瓷套管的主绝缘介质损耗角正切值tanδ和电容值，应符合以下规定（）
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分析小电容量试品的介质损耗因素tgδ测量结果时，应特别注意哪些外界因素的影响？
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当被试品电容量很小，测量其介损tgδ时，介损仪的高压引线与被试品的杂散电容对测量的影响不可忽视。
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用QS1型西林电桥测量小电容试品的tgδ时，如连接试品的Cx引线过长，则应从测得值中减去引线引入的误差值，此误差值为（）。（其中C0为Cx引线增长部分的电容值；R3为测试时桥臂R3的读数；R4为桥臂R4的值）。
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当试验电压U及电源频率ω一定、被试品的电容值也一定时，介质损耗P与tanδ成（）。
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小电容（小于500PF）试品，主要有电容型套管、电容型电流互感器等，对这些试品采用介损仪正、反接线进行测量，测得的介损tgδ值是一样的。
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电流互感器出厂验收标准卡中，电流互感器出厂试验及验收的电容量和介质损耗因数tanδ测量验收标准为（）。
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采用QS1交流电桥在现场测量设备的tgδ时，若试品的电容量较小，测量中出现负值，一定是存在着电场干扰。
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测量电气设备介质损耗角正切值tanδ时，消除电场干扰影响的方法中使用移相器改变试验电压的相位，在试验电流与干扰电流相同和相反两种情况下分别测量tanδ的方法称为选相倒相法。()
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在相同条件下，用QSl西林电桥测量小电容试品的tgδ和Cx时，用正接线方法和反接线方式测量的结果是完全相同的。()
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某试验站采用西林电桥测量绝缘套管的介质损耗正切值tanδ，采用的电压频率f=50Hz，电桥内的电阻R4取3184Ω，调节电阻R3及电容C4使检流计指零，此时电容C4的电容量为0.08F，则介质损耗正切值tanδ为（）
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对于电容量较大的试品（例如套管、互感器等），测量tan δ能有效地发现局部集中性缺陷和整体分布性缺陷。但对电容量较小的试品（例如大中型发电机、变压器、电力电缆、电力电容器等）测量tanδ只能发现整体分布性缺陷。
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膜纸复合的电容式电压互感器电容单元介质损耗因数tanδ测量交接试验标准正确的是（）
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当试验电压U及电源频率ω一定、被试品的电容值也一定时，介质损耗P与tanδ成（）
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M型介质试验器测量出被试品支路的视在功率S和有功损耗功率P，则其介质损耗角正切值tanδ=P/S（）