tanδ能反映绝缘的整体性缺陷和小电容试品中的严重局部性缺陷。

变压器绕组连同套管的tanδ能发现变压器（）、严重的局部缺陷等。

A . 局部受潮 B . 整体赃污 C . 整体受潮 D . 局部受潮绝缘油劣化

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介质损耗tanδ主要反映设备绝缘的集中性缺陷。

A . 正确 B . 错误

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在现场测量小电容量试品的介质tanδ值时，受外界影响的因素很多，往往引入很多误差，这类试品主要是指（）。

A . 变压器 B . 耦合电容器 C . 电流互感器 D . 变压器套管

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当电容型电流互感器末屏对地绝缘电阻小于1000MΩ时，应测量末屏对地tanδ，其值不大于（）%。

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当断路器电容器的tanδ值不符合要求时，应综合分析tanδ与（）的关系，查明原因。

A . 绝缘电阻 B . 电流 C . 电压 D . 并联均压电容值

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在一般情况下，介损tgδ试验主要反映设备绝缘的整体缺陷，而对局部缺陷反映不灵敏。

A . 正确 B . 错误

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电流互感器出厂试验，对于正立式电容型绝缘结构油浸式电流互感器的地屏（末屏），在测量电压为3kV下的介质损耗因数（tanδ）允许值不应大于（）。

A . 0.01 B . 0.02 C . 0.03 D . 0.04

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电流互感器tAnδ及电容量检测周期为（）。

A . 投运前； B . 1～3年； C . 大修后； D . 必要时。

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断路器电容器大修后，10kV下的油纸绝缘tanδ值不大于（）。

A . 0.003 B . 0.004 C . 0.005 D . 0.006

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当被试品具有较大电容时，tanδ测试不能有效反映试品中可能存在的局部缺陷。

A . 正确 B . 错误

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测量20kV及以上非纯瓷套管的主绝缘介质损耗角正切值tanδ和电容值，应符合以下规定（）

A . 在室温不低于10℃的条件下，套管主绝缘类型电容式油浸纸tanδ（%）最大值0.7（500kV套管0.5）； B . 在室温不低于10℃的条件下，套管主绝缘类型电容式气体tanδ（%）最大值1.5； C . 在室温不低于10℃的条件下，套管主绝缘类型非电容式浇铸树脂tanδ（%）最大值2.0； D . 在室温不低于10℃的条件下，套管主绝缘类型非电容式复合绝缘tanδ（%）最大值由供需双方商定； E . 电容型套管的实测电容量值与产品铭牌数值或出厂试验值相比，其差值应在±5%范围内。

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当绝缘内的缺陷不是整体分布性的，而是集中在某一小点，介质损耗正切值tanδ对这类局部缺陷的反应（）。

A . 不够灵敏 B . 较灵敏 C . 与整体分布性缺陷具有同样的灵敏度

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当试验电压U及电源频率ω一定、被试品的电容值也一定时，介质损耗P与tanδ成（）。

A . 反比 B . 正比 C . U形曲线比例关系

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当绝缘受潮、老化时，有功电流IR将增大，tgδ也增大。通过测量tgδ很灵敏地反映出绝缘的集中缺陷。

A . 正确 B . 错误

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用末端屏蔽法测量220kV串级式电压互感器的tgδ，在试品底座法兰对地绝缘，电桥正接线、Cx引线接试品x、xD及底座条件下，其测得值主要反映（）的绝缘状况。

A . 一次绕组及下铁芯支架对二次绕组及地； B . 处于下铁芯下芯柱的1／4一次绕组及下铁芯支架对二次绕组及地； C . 处于下铁芯下芯柱的的1／4一次绕组端部对二次绕组端部之间的及下铁芯支架对壳之间； D . 上下铁芯支架。