测量CVT分接电容C2的介损和电容量时，C2的“δ”点接介损电桥的高压端，主电容C1高压端接介损电桥的“Cx”端，用正接线法测试。由于“δ”点绝缘水平有限，为保护“δ”，试验电压不超过（）。
相似题目
-
当测到DW8—35断路器合闸对地的介损tgδ若超过规程规定，则可认为该相两支电容套管的tgδ值也超过规程值。
-
变压器低电压试验验收进行介质损耗因数、电容量测量时，测量每一绕组连同套管对地及其余绕组间的介损、电容值，并将测试温度下的介损值换算到（）℃。
-
采用电容分压器测量试验电压时，若主电容为C1，分电容为C2，其分压比为（）。
-
在现场测量小电容量试品的介损tgδ值时，使测量结果引入诸多误差的外界因素主要指哪些？
-
若试品的电容量为10000pF，测量介损tgδ时加压10kV，试验变压器容量选择应不小于（）kVA。
-
用QS1型交流电桥测量110kV级以上电流互感器介损tgδ时，当具备电压等级足够的标准电容器时，按正接法测量，试验电压最高可加到（）。
-
测量互感器、套管等小电容量试品的介损tgδ时，如试品周围近距离内有大面积接地物体（墙壁、构架、栅栏等），通过（）耦合，会影响测量结果的真实性；对大电感试品，应将线圈首尾（），以消除电感、电容对测量准确度的影响。
-
测量装在三相变压器上的任一只电容型套管的介损和电容时，相同电压等级的（），将非测量的其他电压等级的绕组三相短路接地，否则会造成较大的误差。
-
用正接接线方式，测量一台110kV耦合电容器主绝缘介损tgδ，如介损仪的Cx与其耦合电容的末屏（接地小套管）接触不良，影响介损测量结果准确性。
-
采用末端屏蔽法测量串级式电压互感器的介损tgδ时，其值主要反映（）
-
当被试品电容量很小，测量其介损tgδ时，介损仪的高压引线与被试品的杂散电容对测量的影响不可忽视。
-
测量主绝缘为电容式结构的电流互感器的的介损及电容量时，有末屏的应尽量使用（）进行测量。
-
用QS1型交流电桥测量110kV及以上电流互感器介损tgδ值时，当具备电压等级足够高的标准电容器时，按正接法测量，试验电压最高可加到（）。
-
110（66）kV-220kV变压器出厂验收时，应测量每一绕组连同套管对地及其余绕组间的介损、电容值，并将测试温度下的介损值换算到（）℃。
-
油浸式电流互感器采用比较法带电测试tanδ及电容量时，同相设备介损测量差值与初始测量值差值比较，变化范围不超过_A_，电容量比值与初始测量电容量比值比较，变化范围不超过（）。
-
测量C1与C2相串联的电容式电压互感器绝缘介损时，一般情况下C1＜C2/5，所以测量时主要反映（C1）的介损值。
-
变压器出厂验收阶段进行绕组对地及绕组间绝缘电阻测量，测量每一绕组连同套管对地及其余绕组间的介损、电容值，并将测试温度下的介损值换算到（）。
-
在现场采用介损仪测量设备的介损tgδ时，若存在电场干扰，则在任意测试电源极性的情况下，所测得tgδ值一定比真实的tgδ增大。
-
35kV变压器出厂验收时，应测量每一绕组连同套管对地及其余绕组间的介损、电容值，并将测试温度下的介损值换算到（）℃。
-
用未端屏蔽法测量220kV串级式电压互感器的介损tgδ时，其电容量应是整体电容量的（）。
-
500（330）kV-1000kV变压器出厂验收时，应测量每一绕组连同套管对地及其余绕组间的介损、电容值，并将测试温度下的介损值换算到（）℃。
-
小电容（小于500PF）试品，主要有电容型套管、电容型电流互感器等，对这些试品采用介损仪正、反接线进行测量，测得的介损tgδ值是一样的。
-
当采用电磁单元为电源测量电容式电压互感器的电容分压器C1和C2的电容量和介损时，必须严格按照试验规程规定。（）
-
当变压器电容型套管对地绝阻低于1000MΩ时，应测量末屏对地的介损，加压（）。
推荐题目
- 暂不具备条件监狱的会见室，部分功能区域和设施可以兼用，但会见登记室、候见室和（）必须单独设置。
- 脊髓半横贯损伤的主要症状不包括（）。
- 喜食通心粉、馄饨、披萨饼等面食的是（）。
- 78岁妇女，发现右侧小阴唇肿物1个月，自觉肿物增长较快且伴瘙痒和少量出血。查体左侧小阴唇肿物3cm×1cm×1cm，质硬，边界不规则，表面呈菜花样，右侧腹股沟触及2cm×2cm结节，质硬固定。患者合并房颤，心功能三级。治疗方法为（）
- 资格预审是指在（）对潜在投标人进行的资质条件、业绩、信誉、技术、资金等多方面情况进行资格审查，而资格后审是指在（）对投标人进行的资格审查。
- 穿越的理论基础是相对论，但相对论不是为了解释穿越而提出的。
- 下列关于共同理想与远大理想关系的说法，正确的有（ ）。
- 妈妈因为什么事情失去了对上帝的信仰？
- “古文”作为文体的概念始于中唐，由韩愈首创。（)
- 申请参加省级守重企业公示的，必须为连续（）年以上市级守重企业可以申报