测量装在三相变压器上的任一只电容型套管的介损和电容时，相同电压等级的（），将非测量的其他电压等级的绕组三相短路接地，否则会造成较大的误差。
相似题目
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当测到DW8—35断路器合闸对地的介损tgδ若超过规程规定，则可认为该相两支电容套管的tgδ值也超过规程值。
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变压器低电压试验验收进行介质损耗因数、电容量测量时，测量每一绕组连同套管对地及其余绕组间的介损、电容值，并将测试温度下的介损值换算到（）℃。
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用QS1电桥测量110kV套管介损tgδ值时，试验电压为10kV，标准电容CN为50pF；电桥平衡时，R3=345Ω，试计算Cx之值。（R4为定值3184Ω）
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在现场测量小电容量试品的介损tgδ值时，使测量结果引入诸多误差的外界因素主要指哪些？
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进行电容型试品末屏介损测量时，期试验电压一般不应超过（2）kV。
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当标准电容器有很大的介损时，实测试品（绝缘）介损一定为负值。
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若试品的电容量为10000pF，测量介损tgδ时加压10kV，试验变压器容量选择应不小于（）kVA。
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测量互感器、套管等小电容量试品的介损tgδ时，如试品周围近距离内有大面积接地物体（墙壁、构架、栅栏等），通过（）耦合，会影响测量结果的真实性；对大电感试品，应将线圈首尾（），以消除电感、电容对测量准确度的影响。
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测量装在三相变压器上的任一相电容型套管的tgδ和C时，其所属绕组的三相线端与中性点（有中性点引出者）必须短接一起加压，其他非被测绕组则短接接地，否则会造成较大的误差。
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电容型设备介损及电容量带电检测相对测量较绝对测量的优点是（）。
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测量主绝缘为电容式结构的电流互感器的的介损及电容量时，有末屏的应尽量使用（）进行测量。
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110（66）kV-220kV变压器出厂验收时，应测量每一绕组连同套管对地及其余绕组间的介损、电容值，并将测试温度下的介损值换算到（）℃。
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油纸电容式套管末屏上引出的小套管是供套管介损试验和变压器局部放电试验用的。正常运行中小套管应可靠地接地。
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测量CVT分接电容C2的介损和电容量时，C2的“δ”点接介损电桥的高压端，主电容C1高压端接介损电桥的“Cx”端，用正接线法测试。由于“δ”点绝缘水平有限，为保护“δ”，试验电压不超过（）。
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测量C1与C2相串联的电容式电压互感器绝缘介损时，一般情况下C1＜C2/5，所以测量时主要反映（C1）的介损值。
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变压器出厂验收阶段进行绕组对地及绕组间绝缘电阻测量，测量每一绕组连同套管对地及其余绕组间的介损、电容值，并将测试温度下的介损值换算到（）。
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35kV变压器出厂验收时，应测量每一绕组连同套管对地及其余绕组间的介损、电容值，并将测试温度下的介损值换算到（）℃。
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用未端屏蔽法测量220kV串级式电压互感器的介损tgδ时，其电容量应是整体电容量的（）。
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500（330）kV-1000kV变压器出厂验收时，应测量每一绕组连同套管对地及其余绕组间的介损、电容值，并将测试温度下的介损值换算到（）℃。
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小电容（小于500PF）试品，主要有电容型套管、电容型电流互感器等，对这些试品采用介损仪正、反接线进行测量，测得的介损tgδ值是一样的。
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当变压器电容型套管对地绝阻低于1000MΩ时，应测量末屏对地的介损，加压（）。
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电容型套管对地末屏的介损及电容量运行中（）年试验一次。
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测量装在三相变压器的任一相电容型套管的tg∮和C时，其所属绕组的三相线端与中性点（有中性点引出者）必须短接一起加压，其他非被测绕组则短接接地，否则会造成较大的误差（）
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35kV变压器出厂验收时，绕组连同套管对地及其余绕组间的介损tgδ不大于（)%