用QS1电桥测量110kV套管介损tgδ值时,试验电压为10kV,标准电容CN为50pF;电桥平衡时,R3=345Ω,试计算Cx之值。(R4为定值3184Ω)
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在现场测量小电容量试品的介损tgδ值时,使测量结果引入诸多误差的外界因素主要指哪些?
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用反接线方式,测量一台110kV电流互感器主绝缘介损tgδ,如介损仪本体接地不良,与其介损测量结果无关。
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用QS1型交流电桥测量110kV级以上电流互感器介损tgδ时,当具备电压等级足够的标准电容器时,按正接法测量,试验电压最高可加到()。
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绘图题:画出用QS1型西林电桥测量-tgδ的原理接线图(正接线)。
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用正接接线方式,测量一台110kV耦合电容器主绝缘介损tgδ,如介损仪的Cx与其耦合电容的末屏(接地小套管)接触不良,影响介损测量结果准确性。
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用QS1型交流电桥测量110kV及以上电流互感器介损tgδ值时,当具备电压等级足够高的标准电容器时,按正接法测量,试验电压最高可加到()。
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变压器采用QS1型交流电桥反接线测量线圈绕组tgδ时,对于三线圈变压器试写出被试线圈及相应的接地部位。
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一支220KV套管运行一年后,其介损tgδ值由0.28%上升到4.23%,可能原因是()。
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绘图题:画出QS1型西林电桥反接线测量tgδ时原理接线图。
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小电容(小于500PF)试品,主要有电容型套管、电容型电流互感器等,对这些试品采用介损仪正、反接线进行测量,测得的介损tgδ值是一样的。
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采用QS1电桥测量串级式电压互感器支架介损tgδ值时,可选择的接线方法是()。
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35kV变压器出厂验收时,绕组连同套管对地及其余绕组间的介损tgδ不大于()%
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