用QS1交流电桥测量介损tgδ出现负值的主要原因是磁场干扰。
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测量tgδ时，为何要选择QS1电桥的分流位置？
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用QS1电桥测量110kV套管介损tgδ值时，试验电压为10kV，标准电容CN为50pF；电桥平衡时，R3=345Ω，试计算Cx之值。（R4为定值3184Ω）
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现场测试中，使用QS1电桥测tgδ%，下列设备哪些适合正接线。（）
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测量变压器整体对地介损tgδ，可采用介损仪正接线及反接线。
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在现场测量小电容量试品的介损tgδ值时，使测量结果引入诸多误差的外界因素主要指哪些？
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采用QS1电桥测量串级式电流互感器支架介损tgδ值时，可选择接线方法是（）。
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用反接线方式，测量一台110kV电流互感器主绝缘介损tgδ，如介损仪本体接地不良，与其介损测量结果无关。
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用QS1型交流电桥测量110kV级以上电流互感器介损tgδ时，当具备电压等级足够的标准电容器时，按正接法测量，试验电压最高可加到（）。
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绘图题：画出用QS1型西林电桥测量－tgδ的原理接线图（正接线）。
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采用末端屏蔽法测量串级式电压互感器的介损tgδ时，其值主要反映（）
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用QS1型交流电桥测量110kV及以上电流互感器介损tgδ值时，当具备电压等级足够高的标准电容器时，按正接法测量，试验电压最高可加到（）。
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用西林电桥测量tgδ时，若有磁场干扰，试述其消除方法？
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变压器采用QS1型交流电桥反接线测量线圈绕组tgδ时，对于三线圈变压器试写出被试线圈及相应的接地部位。
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用反接线测量电磁式电流互感器的介损，一次加压，二次开路，对其测量介损tgδ值影响不大。
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在现场采用介损仪测量设备的介损tgδ时，若存在电场干扰，则在任意测试电源极性的情况下，所测得tgδ值一定比真实的tgδ增大。
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使用常规法测量电压互感器的介损tgδ误差较大的原因主要是（）。
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QS1型交流电桥测量时，影响tanØ测量值因素主要有（）
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绘图题：画出QS1型西林电桥反接线测量tgδ时原理接线图。
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用QS1型西林电桥测量小电容试品的tgδ时，如连接试品的Cx引线过长，则应从测得值中减去引线引入的误差值，此误差值为（）。（其中C0为Cx引线增长部分的电容值；R3为测试时桥臂R3的读数；R4为桥臂R4的值）。
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小电容（小于500PF）试品，主要有电容型套管、电容型电流互感器等，对这些试品采用介损仪正、反接线进行测量，测得的介损tgδ值是一样的。
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用QS1型西林电桥测tgδ，消除电场干扰的方法有哪些？
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采用QS1交流电桥在现场测量设备的tgδ时，若试品的电容量较小，测量中出现负值，一定是存在着电场干扰。
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采用QS1电桥测量串级式电压互感器支架介损tgδ值时，可选择的接线方法是（）。
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使用QS1型交流电桥测量tanØ时，造成-tanØ值出现的原因有（）
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