干法刻蚀是亚微米尺寸下刻蚀器件的最主要方法，湿法腐蚀一般只是用在尺寸较大的情况下刻蚀器件，例如大于3微米。

相似题目

• 车身上裸露的外表面受到飞石冲击的机会比内表面大，要在防腐蚀处理时使用刻蚀和转化涂料。

  A . 正确 B . 错误

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• 湿法刻蚀有什么缺点？

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• 关键层是指那些线条宽度被刻蚀为器件特征尺寸的金属层。

  A . 正确 B . 错误

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• 电子刻蚀加工主要是通过热效应对工件进行加工，而离子刻蚀加工主要是通过（）效应对工件进行加工。

  A . 撞击 B . 溅射 C . 注入 D . 撞击、溅射

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• 什么是湿法刻蚀？

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• 单晶硅刻蚀一般采用（）做掩蔽层，以氟化氢为主要的刻蚀剂，氧气为侧壁钝化作用的媒介物。

  A . 氮化硅 B . 二氧化硅 C . 光刻胶 D . 多晶硅

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• 高密度等离子体刻蚀机是为亚0.25微米图形尺寸而开发的最重要的干法刻蚀系统。

  A . 正确 B . 错误

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• 在干法刻蚀中发生刻蚀反应的三种方法是（）、（）和（）。

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• 为了避免（）在经过氯化物等离子体刻蚀之后的残留物使其发生腐蚀，必须在刻蚀完毕之后再增加一道工序来除去这些表面残留物。

  A . 多晶硅 B . 单晶硅 C . 铝硅铜合金 D . 铜

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• 与干法刻蚀相比，湿法腐蚀的好处在于对下层材料具有高的选择比，对器件不会带来等离子体损伤，并且设备简单。

  A . 正确 B . 错误

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• STI隔离技术中，为什么采用干法离子刻蚀形成槽？

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• 通常情况下，我们改变工艺条件使刻蚀进行中（）的刻蚀速率尽量低。

  A . 光刻胶 B . 衬底 C . 表面硅层 D . 扩散区 E . 源漏区

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• 焦炉维修方法主要有湿法修补、半干法修补、火焰焊补、陶瓷熔焊法等方法。

  A . 正确 B . 错误

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• 微细加工工艺方法主要有：（），光刻加工，体刻蚀加工技术，面刻蚀加工技术，LIGA技术，（）和（）。

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• 下列组合中哪一种基本上用于刻蚀前者的干刻蚀法大都可以用来刻蚀后者（）。

  A . 二氧化硅氮化硅 B . 多晶硅硅化金属 C . 单晶硅多晶硅 D . 铝铜 E . 铝硅

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• 由于干法刻蚀中是同时对晶片上的光刻胶及裸露出来的薄膜进行刻蚀的，所以其（）就比以化学反应的方式进行刻蚀的湿法还来得差。

  A . 刻蚀速率 B . 选择性 C . 各向同性 D . 各向异性

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• 各向异性的刻蚀剖面是在所有方向上（横向和垂直方向）以相同的刻蚀速率进行刻蚀。

  A . 正确 B . 错误

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• 在半导体生产中，湿法腐蚀是最主要的用来去除表面材料的刻蚀方法。

  A . 正确 B . 错误

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• 不可以对SiO2进行干法刻蚀所使用的气体是（）。

  A . A.CHF B . B.C F C . C.C F D . D.HF

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• 5、湿法刻蚀的分辨率比干法刻蚀的分辨率高。

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• 湿法刻蚀刻蚀槽中溶液主要成分包括______

  A．HF B．NaOH C．HNO3 D．H2SO4

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• 3、铝进行干法刻蚀时，常常采用哪种物质？

  A．BClx和Cl2 B．HF C．HCl D．SF2

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• 什么是干法刻蚀？什么是湿法腐蚀？两者所形成的刻蚀剖面有何区别？

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• 2、二氧化硅湿法刻蚀常采用的腐蚀液成分主要包含

  A．HF B．NH4F C．H202 D．H2O

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