通常情况下，我们改变工艺条件使刻蚀进行中（）的刻蚀速率尽量低。

相似题目

• 在集成电路工艺中，光复制图形和材料刻蚀相结合的工艺技术是（）。

  A . 刻蚀 B . 氧化 C . 淀积 D . 光刻

  查看最佳答案

• 刻蚀速率通常正比于刻蚀剂的浓度。

  A . 正确 B . 错误

  查看最佳答案

• 在刻蚀二氧化硅过程中假如我们在CF4的（）内加入适量的氢气，能够降低刻蚀的速率。

  A . 气体 B . 等离子体 C . 固体 D . 液体

  查看最佳答案

• 随着铜布线中大马士革工艺的引入，金属化工艺变成刻蚀（）以形成一个凹槽，然后淀积（）来覆盖其上的图形，再利用（）把铜平坦化至ILD的高度。

  查看最佳答案

• 刻蚀工艺会影响光伏池片电学参数中的（）。

  A . A.开路电压 B . B.并联电阻 C . C.短路电流 D . D.串联电阻

  查看最佳答案

• 电子刻蚀加工主要是通过热效应对工件进行加工，而离子刻蚀加工主要是通过（）效应对工件进行加工。

  A . 撞击 B . 溅射 C . 注入 D . 撞击、溅射

  查看最佳答案

• 在集成电路制造工艺步骤中，光刻与刻蚀能把掩膜版上的图形转移到硅片上来。

  A . 正确 B . 错误

  查看最佳答案

• 在干法刻蚀中发生刻蚀反应的三种方法是（）、（）和（）。

  查看最佳答案

• 为了避免（）在经过氯化物等离子体刻蚀之后的残留物使其发生腐蚀，必须在刻蚀完毕之后再增加一道工序来除去这些表面残留物。

  A . 多晶硅 B . 单晶硅 C . 铝硅铜合金 D . 铜

  查看最佳答案

• 从刻蚀工艺上可以将刻蚀分为什么种类？

  查看最佳答案

• 干法刻蚀是亚微米尺寸下刻蚀器件的最主要方法，湿法腐蚀一般只是用在尺寸较大的情况下刻蚀器件，例如大于3微米。

  A . 正确 B . 错误

  查看最佳答案

• 刻蚀工艺会影响电池片的哪项电性能？（）

  A . 并联电阻 B . 开路电压 C . 短路电流 D . 串联电阻

  查看最佳答案

• 微细加工工艺方法主要有：（），光刻加工，体刻蚀加工技术，面刻蚀加工技术，LIGA技术，（）和（）。

  查看最佳答案

• 晶圆制备的九个工艺步骤分别是（）、整型、（）、磨片倒角、刻蚀、（）、清洗、检查和包装。

  查看最佳答案

• 下列方程式中属于二氧化硅刻蚀工艺的是（）。

  A . A.4HF+Si=SiF +2H ↑ B . B.CF +SiO ——→SiF +CO ↑ C . C.CF +SiO +O ——→SiF +CO ↑ D . D.SiO +4HF——→SiF +2H O

  查看最佳答案

• 大马士革工艺的重点在于介质的刻蚀而不是金属的刻蚀。

  A . 正确 B . 错误

  查看最佳答案

• 刻蚀是用（）或（）有选择地从硅片表面去除不需要材料的工艺过程，其基本目标是（）。

  查看最佳答案

• 在刻蚀（）过程中假如我们在CF5的等离子体内加入适量的氧气，能够提高刻蚀的速率。

  A . 铜 B . 铝 C . 金 D . 二氧化硅

  查看最佳答案

• 下列组合中哪一种基本上用于刻蚀前者的干刻蚀法大都可以用来刻蚀后者（）。

  A . 二氧化硅氮化硅 B . 多晶硅硅化金属 C . 单晶硅多晶硅 D . 铝铜 E . 铝硅

  查看最佳答案

• 由于干法刻蚀中是同时对晶片上的光刻胶及裸露出来的薄膜进行刻蚀的，所以其（）就比以化学反应的方式进行刻蚀的湿法还来得差。

  A . 刻蚀速率 B . 选择性 C . 各向同性 D . 各向异性

  查看最佳答案

• 对于大马士革工艺，重点是在于金属的刻蚀而不是介质的刻蚀。

  A . 正确 B . 错误

  查看最佳答案

• 各向异性的刻蚀剖面是在所有方向上（横向和垂直方向）以相同的刻蚀速率进行刻蚀。

  A . 正确 B . 错误

  查看最佳答案

• 46、光刻工艺流程：打底膜→ →前烘 →曝光→显影→坚膜→刻蚀→去胶。

  查看最佳答案

• 无刻蚀镀铁是为了()而出现的镀铁新工艺。Ⅰ.提高镀铁质量;Ⅱ.发展镀铁工艺;Ⅲ.克服刻蚀处理的缺点;Ⅳ.提高镀铁效率;Ⅴ.简化工艺。

  A．Ⅰ+Ⅲ+Ⅴ B．Ⅰ+Ⅳ+Ⅴ C．Ⅱ+Ⅲ+Ⅴ D．Ⅱ+Ⅳ+Ⅴ

  查看最佳答案