硅单晶的（）是一个重要的基本电学参数。根据单晶制备时所参杂的元素，它们是三价的还是五价的，可以将单晶化分为P型和N型两大类。
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单晶体塑性变形的基本方式是（）和（）。
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第二次世界大战以后，电子工业和半导体工业对超纯材料的要求导致（）及各种单晶制备方法和气相沉积法的出现。
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单晶体产生塑性变形时，主要取决于滑移面上的（）
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为减少固定电荷密度和快界面态的影响，在制备MOS器件时通常选择硅单晶的方向为（）
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单晶体塑性变形时，滑移比孪生（）
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工业中单晶硅的制备方法主要有（）和区熔法（FZ法）
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冷热探笔法测试硅单晶的原理是什么？
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下面哪种不是单晶硅的制备方法（）。
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集成电路的基本制造工艺是：首先是对圆柱形的单晶硅进行（），生产大片的（），并在其上制造出大量电路单元。
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制取单晶体的技术关键是保证液体结晶时只有一个晶核。
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非晶、（）、单晶是固体的三种基本类型。
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单晶硅、多晶硅、非晶硅和铜铟镓硒薄膜电池等是太阳能（）技术的最基本元件。
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只有一个晶粒组成的晶体成为单晶体。
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制造电子器件的基本半导体材料是圆形单晶薄片，称为硅片或（）。在硅片制造厂，由硅片生产的半导体产品，又被称为（）或（）。
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将圆柱形的单晶硅锭制备成硅片需要哪些工艺流程？
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单晶体是只有一个晶粒组成的晶体
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只有一个（）组成的晶体称为单晶体。
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在单晶体中外力作用下每次只能开动一个滑移系。
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9、当前，单晶硅的制备中85%左右都是采用（）。
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9、单晶体制备的基本原理是液体结晶时只形成一个晶核
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简述制备单晶硅的两种常用方法及常见的单晶晶向。
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20、直拉法制备的单晶直径比较大，杂质也比悬浮区熔法制备的单晶少。
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132、制备单晶时，结晶过程当中，形核速度要非常快
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4、单晶直探头接收超声波时是利用压电晶体的（)。
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