简述制备单晶硅的两种常用方法及常见的单晶晶向。

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• 下列哪个不是单晶常用的晶向（）

  A . A.（100） B . B.（001） C . C.（111） D . D.（110）

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• 为减少固定电荷密度和快界面态的影响，在制备MOS器件时通常选择硅单晶的方向为（）

  A . 【100】 B . 【111】 C . 【110】 D . 【111】或【110】

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• 工业中单晶硅的制备方法主要有（）和区熔法（FZ法）

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• 金属单晶体的变形有滑移和孪生两种不同的方式，大多情况下是以孪生的方式进行的。

  A . 正确 B . 错误

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• 制备抗体与酶结合物常用的两种方法是（）交联法和（）氧化法。

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• 下面哪种不是单晶硅的制备方法（）。

  A . 硅带法 B . 区熔法 C . 直拉单晶法 D . 磁拉法

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• 目前测定硅单晶中的氧，碳含量最常用的方法（）收法。

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  A . 正确 B . 错误

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• 技术上常用集成度来说明集成电路的发展水平，现在最尖端的技术已经可以在一块单晶硅芯片上制造（）晶体管。

  A . 十万个 B . 上百万个 C . 上亿个 D . 几百亿个

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• 硅单晶的（）是一个重要的基本电学参数。根据单晶制备时所参杂的元素，它们是三价的还是五价的，可以将单晶化分为P型和N型两大类。

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• 单晶硅Conductive type测量的方法是： 。

  A．磨角染色法 B．热探针法 C．滚槽法 D．扫描法

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• 单晶型光电导探测器常用材料为（)。

  A．A.硫酸三甘钛TGS B．B.锆钛酸铅PZT C．C.钛酸锂LITaO3 D．D.碲镉汞CdHgTe

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• 9、当前，单晶硅的制备中85%左右都是采用（）。

  A．还原法 B．氧化法 C．FZ法 D．CZ法

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