MOS管的栅极可与双极型栅极的（）相对应。

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• 场效应管的三个电极分别是（）、源极和栅极。

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• 与动态MOS存储器相比，不是双极型半导体存储器的特点是（）。

  A . 速度快 B . 集成度高 C . 功耗大

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• MOS管的栅极与双极型三极管的（）相对应。

  A . A、基极 B . B、集电极 C . C、发射极 D . D、发射极或集电极

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• 绝缘栅场效应管的栅极与源极和（）之间是完全绝缘的。

  A . A、漏极 B . B、正极 C . C、负极 D . D、源极

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• 绝缘栅双极型晶体管是以电力场效应晶体管栅极为栅极作为栅极，以以电力晶体管（）和发射极作为发射极与集电极复合而成。

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• 场效应管的源极S、栅极G、漏极D，分别对应于晶体管的（）。

  A . 射极、基极和集电极 B . 基极、射极和集电极 C . 集电极、基极和射极

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• 场效应管的工作原理是利用栅极电压对（）电流的控制作用来作为放大器件。

  A . 原极； B . 漏极； C . 栅极；

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• 为使电荷包实现定向转移，需要控制好相邻栅极上的（），从而调节其下对应势阱的深浅，电压的绝对值越大，势阱就越（），电荷包总是从较浅势阱流向深势阱。

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• IGBT的基本结构是由“双极型三极管BJT”和“MOS绝缘栅型场效应管”组成的（）电力电子器件。

  A . 结构复杂 B . 复合 C . 全控型 D . 电压驱动式

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• 用阶梯仪测场效应管输出特性时，场效管的栅极应加（）。

  A . 阶梯电流 B . 阶梯电压 C . 正弦半波电流 D . 正弦半波电压

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• 在MOS门电路中，欲使FMO3管导通，栅极所加电压应（）开启电压（Ure<0）。

  A . A、大于 B . B、小于 C . C、等于 D . D、任意

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• 一个MOS管当栅极与漏极短接时，该MOS管可以作为（）。

  A . 二极管 B . 负载电容 C . 负载电感 D . 有源负载

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• 当外加阳极电压一定时，将栅极电压由零逐渐降低，阳极电流也减少，当栅极电压为某一负值时（Ug0），阳极电流降为零，此时对应的负栅偏压叫（）栅压。

  A . 饱和 B . 截止 C . 动态 D . 静态

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• 一般开关电源MOSFET管的漏、源极完全导通时的栅极电压为（）V。

  A . A、0 B . B、1 C . C、5 D . D、10

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• 绝缘栅双极晶体管的导通与关断是由栅极电压来控制的。

  A . 正确 B . 错误

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• 在MOS及双极型器件中，多晶硅可用来做什么？

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  A . A、基极 B . B、源极 C . C、发射极 D . D、阻板

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  A . 正确 B . 错误

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• 通常场效应管的噪声要比双极型晶体管的噪声（)，这是因为场效应管中不存在（)的注入、扩散和复合过程，基本上不产生散粒噪声。

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• 4、绝缘栅场效应管的栅极电流_________ 。

  A．为0 B．较大 C．较小 D．为负值

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• IGBT管的驱动由栅极电流来控制开通与关断。（)

  是 否

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• 双极型三极管和单极型三极管的导电机理有什么不同？为什么称双极型三极管为电流控制型器件？MOS管为电压控制型器件？

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