用阶梯仪测场效应管输出特性时，场效管的栅极应加（）。

相似题目

• 场效应管的主要参数有（）等。

  A . 夹断电压 B . 开启电压 C . 饱和漏极电流 D . 低频跨导 E . 最大耗散功率

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• 场效应管的三个电极分别是（）、源极和栅极。

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• NMOS场效应管在栅极电压大于开启电压时才能（）。

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• 结型场效应管的类型有（）。

  A . N沟道结型场效应管 B . P沟道结型场效应管 C . N沟道增强型MOS管 D . P沟道增强型MOS管 E . N沟道耗尽型MOS管 F . P沟道耗尽型MOS管

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• 场效应管的输入、输出电阻为（）

  A . A、均很小 B . B、均很大 C . C、前者很大，后者较小 D . D、前者较小，后者较大

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• MOS场效应管的英语缩写是（）。

  A . A、“IGBT” B . B、“BJT” C . C、“GTO” D . D、“MOSFET”

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• 绝缘栅场效应管的栅极与源极和（）之间是完全绝缘的。

  A . A、漏极 B . B、正极 C . C、负极 D . D、源极

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• 结型场效应管的文字符号为（）。

  A . A、S B . B、D C . C、V D . D、A

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• 场效应管的源极S、栅极G、漏极D，分别对应于晶体管的（）。

  A . 射极、基极和集电极 B . 基极、射极和集电极 C . 集电极、基极和射极

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• 构成场效应管的材料不包含（）.

  A . 金属 B . 氧化物 C . 超导体 D . 半导体

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• 场效应管的工作原理是利用栅极电压对（）电流的控制作用来作为放大器件。

  A . 原极； B . 漏极； C . 栅极；

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• 结型场效应管的输出特性曲线可分为（）。

  A . A、可变电阻区和饱和区 B . B、可变电阻区和击穿区 C . C、饱和区和击穿区 D . D、可变电阻区、饱和区和击穿区

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• 场效应管的电极为（）。

  A . 基极b B . 发射极e C . 集电极c D . 源极s E . 栅极g F . 漏极d

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• 场效应管的漏极用英文字母（）表示.

  A . A、S； B . B、G； C . C、D； D . D、V

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• 已知某场效应管的漏极特性曲线如图所示，则在U DS =10V，U GS =0V处的跨导gm约为（）。 https://assets.asklib.com/images/image2/2017120718071633002.jpg

  A . 1mA/V B . 0.5mA/V C . -1mA/V D . -0.5mA/V

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• 在选取DDZ-Ⅱ型温度变送器调制管用场效应管V1时，应选用栅漏极间分布电容小的管，以免微分作用使后面的交流放大器不能正常地工作。另外、场效应管的栅极控制电压的幅值也不允许太大。

  A . 正确 B . 错误

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• 场效应管的低频跨导是描述栅极电压对漏极电流控制作用的重要参数，其值愈大，场效应管的控制能力愈强。

  A . 正确 B . 错误

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• 必须加栅极电压，漏极和源极才能导电的场效应管称为（）

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• 开启电压是耗尽型场效应管的参数；夹断电压是增强型场效应管的参数。

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• N沟道结型场效应管在栅极和源极之间的负电压VGS越高，沟道电阻（）

  A．不一定 B．不变 C．变小 D．变大

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• 某场效应管的转移特性如图所示，该管为()。<img src='https://img2.soutiyun.com/1/2021-04-06/986572027540741.png' />

  A．P沟道增强型MOS管 B．P沟道结型场效应管 C．N沟道增强型MOS管 D．N沟道耗尽型MOS管

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• 4、绝缘栅场效应管的栅极电流_________ 。

  A．为0 B．较大 C．较小 D．为负值

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• 当工作在恒流区时，N沟道结型场效应管栅极电位（)源极电位，PN结（)。

  A．大于，正偏 B．小于，反偏 C．等于，零偏压

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• 场效应管的最主要特性是（）

  A．输入电阻非常高 B．输入电阻非常小 C．放大能力特别强化 D．非线性特别小

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