关于晶体管的反向漏电流,相同功率的锗管反向漏电流大于()反向漏电流。
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二极管加反向电压时,反向电流很小,所以晶体管的集电结加反向电压时,集电极电流必然很小。
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在晶体二极管的两端加反向电压时,反向电阻很大,反向电流很小,基本处于()状。
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PN结反向漏电流是由()产生的。
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在晶体二极管的反向截止区、反向电流随反向电压的增大而迅速增大。()
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晶体三极管对电流有反向截止作用。
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关于晶体管反向漏电流,以下说法正确是()。
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当晶体管上的反向电压高于某值,反向电流会突然增大,这个电压叫()。
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若反向漏电流较大,则说明二极管性能不好。(
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PN结的反向漏电流()而急剧增大。
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在晶体二极管的两端加反向电压时,反向电阻很大,反向电流很小,基本处于()状态。
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电路如图所示,D 1 、D 2 均为硅管(正向压降0.7V),D为锗管(正向压降0.3V),U=6V,如果二极管的反向电流为V,则流过D 1 、D 2 的电流分别为:() https://assets.asklib.com/psource/2015102716062735611.jpg
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东风8B型内燃机车在常温下主整流柜硅整流元件加2800V反向重复峰值电压检测时,其漏电流不大于()。
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常温下,整流组件加2800V反向重复峰值电压检测时,其漏电流应不大于()。
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场效应晶体管的栅源电压变化可以控制漏电流变化。()
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连接在电路中的二极管,当温度升高时,二极管的正向漏电流和反向击穿电压分别会()。
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硅二极管,它在反向电压下的漏电流比锗管小得多,但导通电压较高,约()V。
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温度升高时,晶体管的反向饱和电流将()。
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反向漏电流IR习惯指反向电压在 时的反向漏电流。
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非线性电阻元件具有正反向相同的很陡的伏安特性。正常工作时,漏电流极小。遇.到浪涌电压时反应快,可通过数安培的放电电流,因此,抑制过电压能力强()
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3、3DG6型晶体管的集电极的最大允许电流ICM=20mA,发射极反向击穿电压U(BR)CEO=20V,集电极的最大允许耗散功率PCM=100mW,使用时测得其集电极电流IC=15mA,UCE=10V,则该管()。
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当反向电压小于反向击穿电压时,二极管2的反向电流很小,当反向电压大于反向击穿电压后,其反向电流迅速增加。()
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变流装置功率因数补偿用品闸管KPA900—46,测试电压为4600V时,断态(反向)重复峰值电流IRRM、IDRM不大于()mA(25℃)
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二极管的最大反向电流越大,说明二极管的单向导电性越好,硅管的反向电流较锗管大。()
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