硅二极管，它在反向电压下的漏电流比锗管小得多，但导通电压较高，约（）V。
相似题目
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二极管加上正向电压就导通，加上反向电压就截止的现象，称为二极管的（）。
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光电二极管的响应速度比光电三级管约高一个数量级，比锗管约高一个数量级。
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硅二极管两端正向偏置电压大于（）时，二极管才能导通。
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NPN型三极管具有电流放大作用，导通的条件是发射结加反向电压，集电结加正向电压。
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导通后二极管两端电压变化很小，锗管约为（）。
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硅晶体三极管的穿透电流比锗晶体三极管的小。
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一个硅二极管反向击穿电压为150伏，则其最高反向工作电压为（）。
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二极管真正导通后，锗管的电压约为（）V。
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硅二极管的反向电流比锗二极管大。
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当硅整流发电机电压高于蓄电池电压时，就向蓄电池充电，蓄电池电压高于发电机电压时，硅二极管阻止反向电流流过，因此在发动机的直流电路中，（）也是一个重要部件。
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开关二极管加正向偏置电压导通，加反向偏置电压截止。
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当反向电压达到某一电压时，稳压二极管反向击穿导通，电流急剧增加，两端电压（）。
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二极管导通后，正向电流与正向电压呈( ), 硅管的正向压降为（ ），锗管的正向压降为（ ）
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一般情况下，我们知道，导通后二极管两端电压变化很小锗管约为（)。
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因为硅稳压二极管工作在反向击穿区时，在一定的电流范围内，管子两端的电压近似为恒定值，所以可将稳压二极管并联在负载两端来稳定负载电压。()
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因为硅稳压二极管工作在反向击穿区时，在一定的反向电流范围内，管子两端的电压近似为恒定值，所以可将稳压二极管串联接在负载两端来稳定负载电压。()
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>导通后二极管两端电压变化很小，锗管约为（）
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硅二极管的反向电流比锗二极管小。()
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硅二极管的反向电流比锗二极管大。()
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因为硅稳压二极管工作在反向击穿区时，在一定的反向电流范围内，管子两端的电压近似为恒定值，所以可将稳压二极管并联接在负载两端来稳定负载电压。()
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导通后一极管两端电压变化很小，锗管约为（）
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晶体二极管的特性：具有单向导电性，只有在正向电压时截止，而在反向电压时不能导通，即它使电流只能从负极流向正极。此题为判断题(对，错)。
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硅二极管的反向电流比锗二极管小。（)
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二极管加上正向电压就导通，加上反向电压就截止的现象，称为二极管的（)。