19、增强型MOS场效应管由于预先在SiO2绝缘层中掺入了大量的离子，因此存在原始的导电沟道。
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晶体管延时电路可采用单结晶体管延时电路、不对称双稳态电路的延时电路及MOS型场效应管延时电路三种来实现。
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MOS场效应管的英语缩写是（）。
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绝缘栅型场效应管的输入电流（）。
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场效应管有结型和绝缘栅型两类，每一类中又分（）两种。
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IGBT的基本结构是由“双极型三极管BJT”和“MOS绝缘栅型场效应管”组成的（）电力电子器件。
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美国加州伯克利分校在20世纪70年代末推出的SPICE软件中包含的三个内建MOS场效应管模型是什么？
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焊接点区域加温时，一般元器件的焊接时间为3秒，场效应管、MOS等电路等控制在（），接线柱、插头、插座、钮子开关、波段开关、焊片等可控制在3–5秒。
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在绝缘栅型场效应管中，漏极电流是受栅压控制的，它是利用（）
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增强型NMOS场效应管必须在（）时，才能形成导电沟道，在UGS作用下形成漏极电流ID。
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CMOS电路是在MOS电路的基础上发展起来的一种互补对称场效应管基成电路。
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绝缘栅场效应管也有两种结构形式，它们是N沟道型和P沟道型。无论是什么沟道，它们又分为增强型和耗尽型两种
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N沟道增强型绝缘栅场效应管，栅源电压VGS是指（）
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UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有增强型MOS管。
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增强型MOS管与结型场效应管的g-s间等效电阻大的原因相同。
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根据结构的不同，场效应管可分为结型场效应管和绝缘栅场效应管。此题为判断题(对，错)。
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绝缘栅场效应管工作原理对N沟道增强型场效应管作放大作用时，场效应管应工作在（）区
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开启电压是耗尽型场效应管的参数；夹断电压是增强型场效应管的参数。
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绝缘栅场效应管工作原理场效应管是（）控制型器件
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场效应管增强型MOS管具有开启电压（）
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场效应管结型和耗尽型MOS场效应管，具有夹断电压（）
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测得某增强型场效应管栅源电压为2V，已知Vth=1V，则该管不可能工作在（）区。
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47、增强型绝缘栅场效应管初始时存在导电沟道。
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2、场效应管可以分为绝缘栅型和增强型两种。
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3、增强型场效应管当栅源电压为零时，存在导电沟道。