P型半导体与N型半导体的交界面处形成的空间电荷区叫做______。
相似题目
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二极管是P型半导体和N型半导体结合在一起，在交界面（）。
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IN型光电二极管的结构分为（）层，P区和N区之间较厚的一层是（）半导体。
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当P型半导体和N型半导体联结在一起时，在它们交界处要发生电子和空穴的（）。
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P型半导体材料又称为空穴型半导体，其多数载流子为正电荷.
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本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子，但数量很少，导电能力差。在半导体中加入微量三价元素，使空穴增多，形成P型半导体；如掺入少量五价元素，使电子增多，形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___，N型半导体中多数载流子是___；多数载流子的运动称为___，少数载流子的运动称为___。
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靠电子导电的半导体叫做P型半导体。（）
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晶体三极管的发射区和集电区由同一类半导体（N型或P型）构成，所以发射极和集电极可以相互调换使用。
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用特殊工艺把P型和N型半导体结合在一起，在它们交界面上形成的特殊（）称做PN结。
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PN结可看成一个电容、空间电荷区域相当于介质、P区和N区则为导体。（）
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在一块半导体晶片上采取一定的掺杂工艺，使两边分别形成P型和N型半导体，那么在这两种半导体的交界处会形成一层很薄的层，称为（）。
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当温度一定时，杂质半导体的费米能级主要由什么因素决定？试把强n，弱n型半导体与强p，弱p半导体的费米能级与本征半导体的费米能级比较。
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N型半导体是指在本征半导体中加入微量五价元素所形成的半导体，那么，P型半导体是指在本征半导体中加入微量（）价元素所形成的半导体。
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把N型和P型半导体有机结后在一起，通过扩散运动在交界处就形成了空间电荷区。（）
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N型半导体，P型半导体中的多数载流子性质不同，N型半导体带负电，而P型半导体带正电，所以PN结形成内电场。
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将P型半导体和N型半导体经过特殊工艺加工后，会有机地结合在一起，就在交界外形成了电荷的薄层，这个带电荷的薄层称为（）。
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纯净半导体又称为 半导体，在纯净半导体中掺入 价杂质元素可形成P型半导体，在纯净半导体中掺入 价杂质元素可形成N型半导体.
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肖特基二极管是利用金属和N型或P型半导体接触形成具有单向导电性的二极管，又叫金属半导体二极管。
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47、当把P型半导体和N型半导体结合在一起时，在两者的交界处形成一个 。
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N型半导体和P型半导体中的多数载流子性质不同，N型半导体带负电， 而P型半导体带正电，所以PN结形成内电场。此题为判断题(对，错)。
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一、单项选择（每题4分） 1、从能带角度分析绝缘体、导体和半导体，以下说法错误的是（)。 A. 绝缘体一般具有较大的禁带宽度 B. 绝缘体的导电性能差 C. 半导体的禁带宽度大于绝缘体，而小于导体 D. 一般来讲，材料的禁带宽度越大，导电性越差 2、若半导体材料的费米能级高于本征费米能级，则该半导体具体为（)。 A. 本征半导体 B. P型半导体 C. N型半导体 D. 杂质半导体 3、当PN结加反向偏压时，它的耗尽层宽度 ，势垒高度 （)。 A. 变宽，变小 B. 变窄，变大 C. 变窄，变小 D. 变宽，变大 4、 对于单边突变硅n+/p结，耗尽区主要分布在（） A. n+区 B. p区 C. 中性区 D. 扩散区 4、对平衡状态下的PN结，下列说法错误的是（） A. 它的空间电荷区也叫耗尽区 B. 耗尽区存在自由载流子，非电中性 C. 中性区电场强度为零 D. 空间电荷区外部区域称为中性区 5、PN结势垒区电势最低的位置是（）。 A. 靠近P区的势垒区边界 B. 靠近N
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PN结可以看成一个电容，空间电荷区域相当于介质，P区和N区则为导体（）
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对于p型半导体形成的MOS电容结构，当金属端外加负电压时，表面能带向弯曲，表面为状态;对于n型半导体表面能带向弯曲，表面为状态（)。
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7、PN结是在两种半导体交界面，由离子薄层形成的空间电荷区，因此PN结带电。
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24、p沟道增强型比n沟道增强型器件更易制造的原因是氧化层正电荷的积累可能会使n型半导体反型。