24、p沟道增强型比n沟道增强型器件更易制造的原因是氧化层正电荷的积累可能会使n型半导体反型。
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N沟道MOSFET管的导通条件是()。
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增强型NMOS场效应管必须在()时,才能形成导电沟道,在UGS作用下形成漏极电流ID。
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绝缘栅场效应管也有两种结构形式,它们是N沟道型和P沟道型。无论是什么沟道,它们又分为增强型和耗尽型两种
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N沟道增强型绝缘栅场效应管,栅源电压VGS是指()
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单极型晶体管又称为()管。其导电沟道分有()沟道和P沟道。
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双极型晶体管导电的载流子是_________;N沟道场效应管导电的载流子是__________;P沟道导电的载流子是_______。A电子 B空穴 C电子和空穴
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制作p沟增强型MOS管时必须严格控制好氧化层中的正电荷密度,以防在栅压为零时就出现导电沟道。()
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N沟道增强型MOSFET工作于放大工作状态时,要求UGSQ>______, UDSQ>______。
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【单选题】P沟道增强型MOSFET工作时,栅-源电压vGS和漏-源电压vDS应如下配置()
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当N沟道增强型MOSFET的VDS增大,VGD会增大,当VGD增大至开启电压VT时产生预夹断()
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当uGS =0时,()导电沟道,称为耗尽型MOS管,没有导电沟道的称为增强型MOS管
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绝缘栅场效应管工作原理对N沟道增强型场效应管作放大作用时,场效应管应工作在()区
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9、N沟道增强型MOSFET工作于放大工作状态时,要求UGSQ>______, UDSQ>______。
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E-MOSFET根据导电沟道的电极性,分为N沟道和P沟道。
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47、增强型绝缘栅场效应管初始时存在导电沟道。
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10、P沟道增强型场效应管工作在恒流区时,外加栅源电压vGS的极性为______。
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15、作为放大器件工作时,耗尽型N沟道MOSFET的栅源电压能用正向偏置。
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2、某N沟道耗尽型MOSFET,其阈值电压为-2V,增益因子β为2A/V2。当栅极电压为3V,漏极电压为4V时,器件的漏源电流为()。
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11、对增强型MOS管,只有在栅源电压绝对值大于 后,才会形成导电沟道。
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19、增强型MOS场效应管由于预先在SiO2绝缘层中掺入了大量的离子,因此存在原始的导电沟道。
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10、P沟道增强型MOS管的栅源开启电压是________
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结型场效应管分为N沟道和P沟道两种结构形式()
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3、增强型场效应管当栅源电压为零时,存在导电沟道。
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11、与N沟道器件相比,P沟道器件
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