2、某N沟道耗尽型MOSFET，其阈值电压为-2V，增益因子β为2A/V2。当栅极电压为3V，漏极电压为4V时，器件的漏源电流为（）。
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按导电沟道不同，电力MOSFET可分为哪两项？（）
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N沟道MOSFET管的导通条件是（）。
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计算题：某电压U为60kV送电线路在泄露比距S0为2.8cm/kV时，计算应选用XP－7绝缘子片数n（XP-7型绝缘子泄露距离λ为28cm）。
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绝缘栅场效应管也有两种结构形式，它们是N沟道型和P沟道型。无论是什么沟道，它们又分为增强型和耗尽型两种
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若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。
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某电力工程中，直流系统标称电压为110V、2V单体蓄电池浮充电电压为2.23V、均衡充电电压为2.33V、蓄电池放电末期终止电压为1.87V。蓄电池个数选择符合规程要求的是（）。
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场效晶体管在可变电阻区工作时,D、S间可以看作是一个受UGs控制的可变电阻（RDs=UDs/ID)。今有一个N沟道耗尽型MOS管,在UDs=1V的条件下，当UGs分别为0 V,-1 V和-2 V时,ID分别为4 mA,2 mA和0.8 mA,试计算不同UGs时的RDS 。
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N沟道增强型MOSFET工作于放大工作状态时，要求UGSQ＞______, UDSQ＞______。
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【单选题】P沟道增强型MOSFET工作时,栅-源电压vGS和漏-源电压vDS应如下配置（)
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当N沟道增强型MOSFET的VDS增大,VGD会增大,当VGD增大至开启电压VT时产生预夹断（）
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由N个分子组成的气体,其分子速率分布如图9－5所示。（1)求常数a的值:（2)试求速率在1.5v0~2v0之间
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P-MOSFET栅偏压为零时，漏源极之间就存在导电沟道的称为耗尽型。（）
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当uGS =0时,（）导电沟道,称为耗尽型MOS管,没有导电沟道的称为增强型MOS管
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MC14433是三位半双积分型A／D转换器，当额定输入电压为2V时，其分辨率为（)。
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当门源电压UGS为零时，N沟道静电感应晶体管（SIT）处于状态（）
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9、N沟道增强型MOSFET工作于放大工作状态时，要求UGSQ＞______, UDSQ＞______。
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E-MOSFET根据导电沟道的电极性，分为N沟道和P沟道。
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N沟道耗尽型绝缘栅场效晶体管在ID时，栅源电压为负值（）
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测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值，VDS=3V，VGS=-2V，VTP=-1V；其中VTP为增强型PMOS管的开启电压；试判断该管工作在什么区域。
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随着工艺节点不断推进，沟道长度越来越短，阈值电压随之增大。（)
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25、P沟道耗尽型MOS管的夹断电压UGS（off)＝-1V，当测量到它在电路中的电压值为：UDS＝-3V，UGS＝-2V时，可以断定该MOS管工作在截止区。
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26、N沟道耗尽型MOS管的夹断电压UGS（off)＝-2V，当测量到它在电路中的电压值为：UDS＝3V，UGS＝-1V时，可以断定该MOS管工作在饱和区。
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15、作为放大器件工作时，耗尽型N沟道MOSFET的栅源电压能用正向偏置。
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5、已知某晶体管处于放大状态，测得其三个极的电位分别为 2V、2.7V 和 6V，则2.7V 所对应的电极为（）。
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- 甲公司为增值税一般纳税人，适用的增值税税率为17%。2012年10月1日向乙公司销售一批商品，开出的增值税专用发票上注明的销售价款为700万元，增值税税额为119万元。为及早收回货款，甲公司和乙公司约定的现金折扣条件为：5/15，n/30。2012年10月5日，乙公司因为该批商品存在质量瑕疵，要求甲公司给予10%的销售折让，甲公司同意，乙公司于2012年10月12日付款。假定计算现金折扣和销售折让时均不考虑增值税税额，甲公司确认财务费用的金额为（）万元。
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