当门源电压UGS为零时，N沟道静电感应晶体管（SIT）处于状态（）
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当n足够大，且p与1－p不接近零时，总体率的99%可信区间的表示方法为（）
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高频静电感应晶体管（SIT）比绝缘栅双机型晶体管（IG-BT）适用的频率更高。
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当润滑油测试仪空载（没有加油）不能调零时，说明油腔底部沟道内有金属物将传感器（）。
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增强型NMOS场效应管必须在（）时，才能形成导电沟道，在UGS作用下形成漏极电流ID。
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某N沟道场效应晶体管测得UGS=0时，漏极电流Id=10mA，则该管的类型为（）。
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当感应调压器在零位，即输出电压为零时，其漏抗值为零。
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当电阻为零时，通过有限的电流时，其电压为（）。
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当电压相角为零时合闸，变压器励磁涌流（）。
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当电压表指针指示为零时，表示设备已停电。
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若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。
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当电源内阻为零时，电源端电压（）电源电动势。
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压电晶体式传感器通过内部的一个压电晶体来感应压力的变化，当压力变化时，作用在压电晶体上的（）使压电晶体输出一个信号电压。
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一个N沟道结型场效应管工作时，测得UDS=6V，ID=3mA，UGS=-1V，问此管工作在什么区域（）
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场效晶体管在可变电阻区工作时,D、S间可以看作是一个受UGs控制的可变电阻（RDs=UDs/ID)。今有一个N沟道耗尽型MOS管,在UDs=1V的条件下，当UGs分别为0 V,-1 V和-2 V时,ID分别为4 mA,2 mA和0.8 mA,试计算不同UGs时的RDS 。
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当N沟道增强型MOSFET的VDS增大,VGD会增大,当VGD增大至开启电压VT时产生预夹断（）
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当uGS =0时,（）导电沟道,称为耗尽型MOS管,没有导电沟道的称为增强型MOS管
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7、P沟道结型场效应管工作在恒流区其栅-源电压UGS应小于夹断断电压大于零（）。
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Ugs PN结上加的正向向电压越高,沟道越窄（）
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N沟道耗尽型绝缘栅场效晶体管在ID时，栅源电压为负值（）
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静态分析就是求解静态工作点Q，即在外部输入信号为零时，求解晶体管各电极间的电流与电压。
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25、P沟道耗尽型MOS管的夹断电压UGS（off)＝-1V，当测量到它在电路中的电压值为：UDS＝-3V，UGS＝-2V时，可以断定该MOS管工作在截止区。
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26、N沟道耗尽型MOS管的夹断电压UGS（off)＝-2V，当测量到它在电路中的电压值为：UDS＝3V，UGS＝-1V时，可以断定该MOS管工作在饱和区。
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2、某N沟道耗尽型MOSFET，其阈值电压为-2V，增益因子β为2A/V2。当栅极电压为3V，漏极电压为4V时，器件的漏源电流为（）。
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3、增强型场效应管当栅源电压为零时，存在导电沟道。