当N沟道增强型MOSFET的VDS增大,VGD会增大,当VGD增大至开启电压VT时产生预夹断（）
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当围压增大时岩石强度（），当温度升高时则岩石的（）增强。
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发光二极管的内部存在一个PN结，具有单向导电性，当发光二极管在正向导通时会发光，光的亮度随导通电流增大而增强，光的颜色与波长有关。
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在转速负反馈系统中，当开环放大倍数K增大时，转速降落△n将（）
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当物料粘度增大后，会造成离心泵（）增大，甚至过载跳停。
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当液体所受的压力增大时。其分子间的距离缩小，引力也就增强，导致其粘度增大。对于石油产品而言，只有当压力大到（）以上时对粘度才有显著的影响。
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当增大（）时，惰性气体保护焊焊接熔深也会增大。
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N沟道MOSFET管的导通条件是（）。
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当动机拖动的机械负载转矩增大时，转速n将（）。
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绝缘栅场效应管也有两种结构形式，它们是N沟道型和P沟道型。无论是什么沟道，它们又分为增强型和耗尽型两种
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N沟道增强型绝缘栅场效应管，栅源电压VGS是指（）
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当物料（）增大时，会造成离心泵电流增大。
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下列氧化剂，当溶液中 H + 浓度增大时，氧化能力增强的是
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N沟道增强型MOSFET工作于放大工作状态时，要求UGSQ＞______, UDSQ＞______。
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【单选题】P沟道增强型MOSFET工作时,栅-源电压vGS和漏-源电压vDS应如下配置（)
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1、MOSFET的饱和区漏极电流ID 随 VDS 的增大而略有增大，是由于什么原因引起的：（）。
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9、N沟道增强型MOSFET工作于放大工作状态时，要求UGSQ＞______, UDSQ＞______。
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E-MOSFET根据导电沟道的电极性，分为N沟道和P沟道。
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当溶液中酸度增大时，kmo4的氧化能力也会增大（）
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测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值，VDS=3V，VGS=-2V，VTP=-1V；其中VTP为增强型PMOS管的开启电压；试判断该管工作在什么区域。
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随着工艺节点不断推进，沟道长度越来越短，阈值电压随之增大。（)
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15、作为放大器件工作时，耗尽型N沟道MOSFET的栅源电压能用正向偏置。
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2、某N沟道耗尽型MOSFET，其阈值电压为-2V，增益因子β为2A/V2。当栅极电压为3V，漏极电压为4V时，器件的漏源电流为（）。
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27、VDS增大时横向电场增大，迁移率增大；VGS增大时纵向电场增大，迁移率减小，当纵向电场影响更大时，迁移率总的来说是下降的。
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24、p沟道增强型比n沟道增强型器件更易制造的原因是氧化层正电荷的积累可能会使n型半导体反型。
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