对于工作在强电场下(达到速度饱和)的本征半导体,决定其迁移率的主要的散射机制是库仑散射。
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在杂质半导体中,杂质饱和电离区载流子的主要来源是本征激发的载流子。
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为什么n型或p型半导体的本征半导体比本征半导体更易导电?
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本征半导体在温度T=OK和无光照时,导电能力与()很接近.
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影响光纤熔接损耗的本征因素有那些?
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光纤的本征损耗是否可以避免?它是什么原因造成的?
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以硅的本征激发为例,说明半导体能带图的物理意义及其与硅晶格结构的联系,为什么电子从其价键上挣脱出来所需的最小能量就是半导体的禁带宽度?
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当温度一定时,杂质半导体的费米能级主要由什么因素决定?试把强n,弱n型半导体与强p,弱p半导体的费米能级与本征半导体的费米能级比较。
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半导体探测器具有非常好的能量分辨率特性和较高的本征探测效率,它的载流子是“电子――空穴对”。哪么产生一个“电子-空穴对”需要的平均电离能是多少?法诺因子的范围是多少?
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加速器有些部位为防止在强电场下放电,需充适量绝缘气体,请在下列气体中选出目前最常用的气体()
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锗的本征导电能力比硅高()。
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闪烁探测器的突出优点在于其本征探测效率高,在同样的形状下,为什么BGO探测器比NaI探测器的本征探测效率高?
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如果用N型半导体代替图A-21中的本征半导体,外电路中的电流将比同样尺寸的本征半导体的()。https://assets.asklib.com/psource/2015031208585164143.jpg
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N型半导体比相应的本征半导体导电性能好的原因是[ ].
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粒子处于一个一维盒子中,盒子长度为L,若粒子处于能量本征值为 的本征态中,求粒子对盒子的壁的
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中心力场中,算符的共同征函数为则关于这两个算符的本征值方程正确的式子是()
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设质量为m的粒子处于势场V(x) =-Kx中,K为非零常数。在动量表象中求与能量E对应的本征波
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【多选题】对于本征半导体而言,其正确的说法是()。
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9、饱和速度指的是强电场区载流子的漂移速度特性严重偏离了弱电场的线性关系,漂移速度达到饱和,不再随外加电场变化。
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试以基态氢原子为例证明:ψ不是的本征函数,而是的本征函数。
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自旋态为,S<sub>x</sub>,S<sub>y</sub>,S<sub>z</sub>本征值为的本征态分别为。求:(a)如果在t时刻,测量自旋角动量沿x
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证明是线性谐振子的本征波函数,并求此本征态对应的本征能量,式中A为归一化常数,
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下列函数哪些是算符的本征函数,其本征值是什么?
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表示沿z方向平移距离口的算符,证明下列形式波函数(Bloch波函数):是Dx (a)的本征念,相应本征值