锗的本征导电能力比硅高()。
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由于材料的不均匀使光散射而引起的损耗称为(),它是光纤材料二氧化硅的本征损耗。
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由于本征半导体比杂质半导体纯净,所以,它的导电能力比杂质半导体强得多。
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为什么n型或p型半导体的本征半导体比本征半导体更易导电?
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本征半导体在温度T=OK和无光照时,导电能力与()很接近.
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影响光纤熔接损耗的本征因素有那些?
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单模光纤中的偏振模色散引起的内在原因是()和(),它改变()分布,其危害是引起相互垂直的本征偏振的(),造成()。
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一般来说,本征半导体的导电能力(),当掺入某些适当微量元素后其导电能力()。
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光纤的本征损耗是否可以避免?它是什么原因造成的?
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本征半导体的导电能力远不如金属的导电能力好
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闪烁探测器的突出优点在于其本征探测效率高,在同样的形状下,为什么BGO探测器比NaI探测器的本征探测效率高?
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本征半导体在热力学温度T=0K,且无其它外界影响的情况下,其导电能力与()一样。
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如果用N型半导体代替图A-21中的本征半导体,外电路中的电流将比同样尺寸的本征半导体的()。https://assets.asklib.com/psource/2015031208585164143.jpg
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N型半导体比相应的本征半导体导电性能好的原因是[ ].
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粒子处于一个一维盒子中,盒子长度为L,若粒子处于能量本征值为 的本征态中,求粒子对盒子的壁的
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中心力场中,算符的共同征函数为则关于这两个算符的本征值方程正确的式子是()
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本征半导体的导电能力比杂质半导体的导电能力() A、 弱 B 、强
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对于工作在强电场下(达到速度饱和)的本征半导体,决定其迁移率的主要的散射机制是库仑散射。
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试以基态氢原子为例证明:ψ不是的本征函数,而是的本征函数。
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①科学是人类每一世代,每一个人,以自身有限的主观认识能力,去认识外在的无限客观存在的一个永无止境的过程 ②在这两大科学本征的基础上,科学精神、科学理性至少应该包含以下六大实质要素,即“客观的依据,理性的怀疑,多元的思考,平权的争论,实践的检验,宽容的激励。” ③什么是“科学的本征” ④在这个过程中,又总是后人发现前人认识上的不足、偏差,补充纠正前人的认识错误,修正推翻前人的错误结论而前进,而越加接
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证明是线性谐振子的本征波函数,并求此本征态对应的本征能量,式中A为归一化常数,
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下列函数哪些是算符的本征函数,其本征值是什么?
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1、请问在相同的环境条件下,本征半导体材料和杂质半导体材料哪种材料的导电能力更强?为什么?
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表示沿z方向平移距离口的算符,证明下列形式波函数(Bloch波函数):是Dx (a)的本征念,相应本征值