可控硅元件的正向阻断峰值电压就是元件所指的耐压值。
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三相半波可控整流电路,电阻性负载,晶闸管承受的最大正向电压为变压器二次线电压的峰值。
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硅整流器在正常工作时,每个整流元件的正向电压降不大于()。
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可控硅具有反向阻断峰值电压规定比反向击穿电压小()V。
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对于目前发展的几种GTO元件,阻断电压为2500v的元件,可以在中间电压为()下应用。
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可控硅反向阻断峰值电压规定比反向击穿电压小()V。
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普通晶闸管整流元件导通的条件是加正向电压和()。
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对于目前发展的几种GTO元件,阻断电压为4500V的元件,中间直流电压可以提高到()。
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三相桥式整流元件所承受的反向电压等于电源线电压的峰值。()
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整流器在正常工作时,每个整流元件的正向电压降不大于()
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整流器在正常工作时,每个整流元件的正向电压降不大于()V。
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35kV多元件支柱绝缘子的交流耐压试验值,应符合下列规定()
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晶闸管的正向阻断峰值电压,即在门即断开和正向阻断条件下,可以重复加于晶闸管的正向峰值电压,其值低于转折电压。
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防止晶闸管元件在没有正常的控制脉冲时承受的正向过电压的保护为()。
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如某晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V,反向重复峰值电压为825V,则该晶闸管的额定电压应为()。
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由于晶体二极管是单向导通的元件,因此正向电阻值与反向电阻值相差越小越好。
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为了提高正向阻断电压,作为调制开关的可控硅一般()使用,但需要考虑均压问题。
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当门极断开(Ig=0),元件处在额定结温时,正向重复峰值电压为正向不重复峰值电压()%。
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可控硅一旦导通,即使控制级的电压去掉,元件依然保持继续导通状态。
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3CT50/600中的“50”表示()。A.额定正向平均电流为50AB.正向阻断值电压为50VC.最大正向电流为50AD.
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若Q值很大,在串联谐振电路中,电感元件和电容元件上的电压一般高出电源电压很多倍,所以在实际电路中应注意电容元件、电感元件的耐压。( )
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晶闸管的正向阻断峰值电压,即在门即断开和正 向阻断条件下,可以重复加于晶闸管的正向峰值电压,其值低于转折电压。()
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变流装置若有元件击穿或电压降级需更换元件时,换上的新元件应与桥臂上未更换元件需属同一厂家且元件正向压降相等或相差不大于0.06V()
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断开控制后,能保证晶闸管不导通而允许重复加在阳极与阴极间的正向峰值电压,称为正向阻断峰值电压。()
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通常选取晶闸管的正向阻断电压和反向峰值电压分别为电路中晶闸管实际承受的最大正向电压和最大反向电压的()
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