场效应管的漏极电流ID=()，所以它是()控制文件。

相似题目

• 场效应管的源极S、栅极G、漏极D，分别对应于晶体管的（）。

  A . 射极、基极和集电极 B . 基极、射极和集电极 C . 集电极、基极和射极

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• 场效应管的漏极电流ID受栅源电压UGS的控制，是电压控制元件。

  A . 正确 B . 错误

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• 场效应管的工作原理是利用栅极电压对（）电流的控制作用来作为放大器件。

  A . 原极； B . 漏极； C . 栅极；

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• 场效应管的漏极用英文字母（）表示.

  A . A、S； B . B、G； C . C、D； D . D、V

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• 已知某场效应管的漏极特性曲线如图所示，则在U DS =10V，U GS =0V处的跨导gm约为（）。 https://assets.asklib.com/images/image2/2017120718071633002.jpg

  A . 1mA/V B . 0.5mA/V C . -1mA/V D . -0.5mA/V

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• 在绝缘栅型场效应管中，漏极电流是受栅压控制的，它是利用（）

  A . 体内场效应而工作的 B . 表面场效应而工作的 C . 载流子导电而工作的

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• 当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将（）。

  A、增大 B、不变 C、减少 D、以上答案都不对

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• 增强型NMOS场效应管必须在（）时，才能形成导电沟道，在UGS作用下形成漏极电流ID。

  A . U ＞U B . U ＜U C . U =0 D . U ＞U

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• 某N沟道场效应晶体管测得UGS=0时，漏极电流Id=10mA，则该管的类型为（）。

  A . 耗尽型管 B . 增强型管 C . 绝缘栅型 D . 无法确定

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• 在选取DDZ-Ⅱ型温度变送器调制管用场效应管V1时，应选用栅漏极间分布电容小的管，以免微分作用使后面的交流放大器不能正常地工作。另外、场效应管的栅极控制电压的幅值也不允许太大。

  A . 正确 B . 错误

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• 场效应管漏极电流由的漂移运动形成（）。

  A . A．少子 B . B．电子 C . C．多子 D . D．两种载流子

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• 场效应管的低频跨导是描述栅极电压对漏极电流控制作用的重要参数，其值愈大，场效应管的控制能力愈强。

  A . 正确 B . 错误

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• 由于漏极电流受栅-源电压的控制，故称场效应管为电流控制元件。

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• 结型场效应管的漏极d与源极s，和三极管的集电极c与发射极e一样，不可以互换端子。

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• 当场效应管的漏极直流电源ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将（）。

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• 当场效应管的漏极直流电流 ID从 2mA 变为 4mA 时,它的低频跨导 gm将( ) 。

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• 场效应管漏极电流由_____（a.少子b.多子c.两种载流子）的漂移运动形成。N沟道场效应管的漏极电流由_____（a.电子b.空穴c.电子和空穴）的漂移运动形成。

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• 场效应管的沟道完全夹断后，其漏极电流iD（)。A.很大B.随VDS变化C.较小D.等于0

  场效应管的沟道完全夹断后，其漏极电流iD()。 A.很大 B.随VDS变化 C.较小 D.等于0

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• 12、N沟道场效应管的漏极电流由_______的漂移运动形成。

  A．空穴 B．电子 C．电子和空穴 D．正离子 E．负离子

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• 69、IDSS表示工作于饱和区的增强型场效应管在uGS=0时的漏极电流。（）

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• 场效应管的漏极电流则受栅£­源电压直接控制，是一种（)控制器件。

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• 某场效应管的IDSS为6mA,而IDQ自漏极流出，大小为8mA,则该管是（）。

  A．N沟道结型管 B．增强型PMOS管 C．耗尽型PMOS管 D．耗尽型NMOS管

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• 1、场效应管利用外加电压产生的_______来控制漏极电流的大小，因此它是_______控制器件。

  A．电流，电场 B．电场，电压 C．电流，电压 D．电压，电流

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• 46、场效应管利用外加电压产生的电场来控制漏极电流的大小，因此它是电压控制型器件。

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