当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将（）。

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  A . 正确 B . 错误

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• 场效应管的漏极用英文字母（）表示.

  A . A、S； B . B、G； C . C、D； D . D、V

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• 已知某场效应管的漏极特性曲线如图所示，则在U DS =10V，U GS =0V处的跨导gm约为（）。 https://assets.asklib.com/images/image2/2017120718071633002.jpg

  A . 1mA/V B . 0.5mA/V C . -1mA/V D . -0.5mA/V

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• 由于在计算电桥时，已使得电桥上下臂电流的比为1∶2。因此，若下臂电流为2mA，则上臂电流为4mA.

  A . 正确 B . 错误

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• 增强型NMOS场效应管必须在（）时，才能形成导电沟道，在UGS作用下形成漏极电流ID。

  A . U ＞U B . U ＜U C . U =0 D . U ＞U

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• 某N沟道场效应晶体管测得UGS=0时，漏极电流Id=10mA，则该管的类型为（）。

  A . 耗尽型管 B . 增强型管 C . 绝缘栅型 D . 无法确定

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• 场效应管的低频跨导是描述栅极电压对漏极电流控制作用的重要参数，其值愈大，场效应管的控制能力愈强。

  A . 正确 B . 错误

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• 结型场效应管的漏极d与源极s，和三极管的集电极c与发射极e一样，不可以互换端子。

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• 当场效应管的漏极直流电源ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将（）。

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• 当场效应管的漏极直流电流 ID从 2mA 变为 4mA 时,它的低频跨导 gm将( ) 。

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• 场效应管漏极电流由_____（a.少子b.多子c.两种载流子）的漂移运动形成。N沟道场效应管的漏极电流由_____（a.电子b.空穴c.电子和空穴）的漂移运动形成。

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• 由于在计算电桥时，已使得电桥上下臂电流的比为1∶2。因此，若下臂电流为2mA，则上臂电流为4mA（）

  是 否

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• 工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为（）。

  A．83 B．91 C．100 D．101

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• 一场效应管，当uGS=－0.3V时，iD=4mA，当uGS=0.8V时，iD=3mA，试问该管的gm为多少？

  一场效应管，当u_GS=-0.3V时，i_D=4mA，当u_GS=0.8V时，i_D=3mA，试问该管的g_m为多少？

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• 场效应管的沟道完全夹断后，其漏极电流iD（)。A.很大B.随VDS变化C.较小D.等于0

  场效应管的沟道完全夹断后，其漏极电流iD()。 A.很大 B.随VDS变化 C.较小 D.等于0

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• 工作在放大区的某三极管，如果当IB从12uA增大到22uA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为（）。

  A.100 B.99 C.101

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• 场效应管的漏极电流ID=()，所以它是()控制文件。

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• 【单选题】工作在放大区的某三极管,如果当IB从5μA增大到15μA时,IC从1mA变为2mA,那么它的β约为 （)

  A．50 B．100 C．150 D．200

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• 12、N沟道场效应管的漏极电流由_______的漂移运动形成。

  A．空穴 B．电子 C．电子和空穴 D．正离子 E．负离子

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• 69、IDSS表示工作于饱和区的增强型场效应管在uGS=0时的漏极电流。（）

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• 场效应管的漏极电流则受栅£­源电压直接控制，是一种（)控制器件。

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  A．12A B．25A C．36A D．40A

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• 46、场效应管利用外加电压产生的电场来控制漏极电流的大小，因此它是电压控制型器件。

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• 工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为______。

  A．83 B．91 C．100 D．D

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