放大电路应遵循的基本原则是:( ) 结正偏;( )结反偏。
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晶体三极管的发射结正偏时,三极管一定工作在放大状态。
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三极管的发射结正偏、集电结反偏时,则三极管所处的状态是()
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三极管起电流放大作用的外部条件是:发射结正偏,集电结()。
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当晶体管发射结正偏,晶体管工作在放大区。()
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晶体三极管具备放大功能的条件是发射结正偏和()。
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当晶体管的发射结正偏,集电结正偏,晶体管处于饱和状态。
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晶体三极管发射结正偏、集电结反偏时,具有开关特性。
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晶体管工作在放大状态时,发射结正偏,对于硅管约为(),锗管约为0.3V。
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晶体三极管放大工作区的特点是:发射结反偏,集电结正偏,具有放大电的作用。
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三极管共发射极放大电路中,为保证三极管放大状态,发射结反偏,集电结正偏。
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当晶体管的发射结正偏的时候,晶体管一定工作在放大区。
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三极管的发射结正偏、集电结正偏时,三极管处于放大状态。
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三极管工作在放大状态的外部条件是,发射结正偏,集电结反偏 。
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三级管有三个工作区, 若发射结正偏,集电结正偏工作在 ( ) 。
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晶体管放大条件是发射结反偏,集电结正偏。()
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3.处于截止状态的三极管,其工作状态为()。 A.发射结正偏,集电结反偏 B.发射结反偏,集电结反偏 C.发射结正偏,集电结正偏 D.发射结反偏,集电结正偏
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右图中箭头表示三极管发射结正偏时的()方向。
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三极管的输入输出曲线发射结正偏,集电结反偏是晶体管工作在()区的外部条件
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晶体管处于放大状态的条件是发射结正偏、集电结反偏
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放大电路应遵循的基本原则是:()结正偏;()结反偏。
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当晶体管的发射结正偏,集电结反偏时,晶体管处于()
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晶体管工作在放大状态的外部条件是发射结反偏且集电结正偏。
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三极管放大作用的外部条件为:发射结正偏,集电结反偏。()
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三极管的饱和条件:发射结正偏、集电结正偏()
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