在晶体缺陷理论中外来原子进入晶格就成为晶体中的杂质,这种杂质原子如果取代原来晶体中的原子而进入正常结点的位置称为()
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晶体中,每个原子在晶格中有一定的平衡位置,原子在此位置时其势能为()。
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晶体中渗入杂质或由较为纯净的晶体形成了非整比化合物都属于化学缺陷。
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两种元素的原子按一定比例相结合,具有新的晶体结构,在晶格中各元素原子的相互位置是固定的,叫化合物。通常化合物具有较高的硬度,低的塑性,()也较大。
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晶体中的晶格类型可以分为()、()、()和()等四种。
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当晶格上的原子位置被外来原子所占据把这样的缺陷叫做()。
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在共价晶体中晶格结点上是中性原子,原子间以共价键结合,不断向周围延伸形成一个巨大分子。
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由于晶体缺陷使正常的晶格发生了扭曲,造成晶格畸变。晶格畸变使得金属能量(),金属的强度、硬度和电阻减小。
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杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种,分别是()扩散和()扩散。杂质只有在成为硅晶格结构的一部分,即(),才有助于形成半导体硅。
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即使是相同的原子构成的晶体,只要原子排列的晶格形式不同,则他们之间的性能就会存在很大的差别。
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晶格中的结点代表原子在晶体中的平衡位置。
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两种元素的原子按一定比例相结合,具有新的晶体结构,在晶格中各元素原子的相互位置是固定的,称为()。
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晶体缺陷中的点缺陷除了置换原子还有()和()。
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外来原子进入晶格就成为晶体中的杂质原子,杂质原子既可以进入间隙位,也可以取代原有原子进入正常结点位置。
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在金属晶体中晶格结点上排列着金属原子、晶格结点间以金属键结合。
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晶体中存在的空位、间隙原子、位错等缺陷都会造成晶格畸变,从而使金属的强度()。
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在晶体缺陷理论中进入晶体正常结点之间的间隙位置的原子称为()
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()是一种物质的原子均匀地溶解在另一种物质的晶格内,形成的单项晶体结构。
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根据晶体物质的晶格结点上占据的质点种类(分子、原子、离子)不同与质点排列方式不同,把晶体分为几种类型()。
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在多晶体中,晶界是原子(离子)快速扩散的通道,并容易引起杂质原子(离子)偏聚,同时也使晶界处熔点()晶粒;晶界上原子排列混乱,存在着许多空位、位错和键变形等缺陷,使之处于应力畸变状态。
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内部原子排列方向一致而外形不规则的晶体叫晶格。
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在晶体中形成空位的同时又产生间隙原子,这种缺陷称为( )。
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晶体缺陷使晶格发生畸变,金属的强度、硬度上升,塑性、韧性下降。()
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◑在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于()。◑A.温度◑B.掺杂工艺◑C.杂质浓度◑D.晶体缺陷
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1. 在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 () A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 D.晶体缺陷
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