杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种，分别是（）扩散和（）扩散。杂质只有在成为硅晶格结构的一部分，即（），才有助于形成半导体硅。

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  A . （A）动力 B . （B）稳定 C . （C）蒸发 D . （D）混合

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  A . 正确 B . 错误

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  A . 正确 B . 错误

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  A . 自扩散机制 B . 杂质扩散机制 C . 空位机制 D . 菲克扩散方程机制

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  A . 正确 B . 错误

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  A . 甲运输被促进 B . 乙运输被促进 C . 甲运输被抑制 D . 乙运输被抑制

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  A . A．大于 B . B．小于 C . C．相等 D . D．无法比较

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  A . 各种类型固溶体 B . 间隙型固溶体 C . 置换型固溶体 D . A和B

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• 脱氧方式，通常有两种，一是用脱氧剂脱氧，二是扩散脱氧。

  A . 正确 B . 错误

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  A . 正确 B . 错误

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• 在多晶体中，晶界是原子（离子）快速扩散的通道，并容易引起杂质原子（离子）偏聚，同时也使晶界处熔点（）晶粒；晶界上原子排列混乱，存在着许多空位、位错和键变形等缺陷，使之处于应力畸变状态。

  A . 低于 B . 高于 C . 等于 D . 不确定

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  A．下降 B．不变 C．上升 D．无变化规律

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• 1、杂质的扩散掺杂两种方式： 和 。 2、实际扩散工艺采用两步扩散工艺，结合两种扩散工艺，分为 和 ，预淀积是惰性气氛下的 扩散，目的是 。再分布是惰性气氛下的 扩散，将窗口杂质再进一步向片内扩散，目的是 。 3、硅中点缺陷有 、 和 。 4、氧化增强与硅表面的取向有关，在干氧氧化时， 晶面的氧化增强的效果最强。 5、（判断）硅经扩散工艺掺入的杂质均已完全电离，无需再退火激活，这种说法是否正确。

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• 12、晶体化合物中，非本征缺陷少，因此非本征扩散是次要机制

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