1、杂质的扩散掺杂两种方式： 和 。 2、实际扩散工艺采用两步扩散工艺，结合两种扩散工艺，分为 和 ，预淀积是惰性气氛下的 扩散，目的是 。再分布是惰性气氛下的 扩散，将窗口杂质再进一步向片内扩散，目的是 。 3、硅中点缺陷有 、 和 。 4、氧化增强与硅表面的取向有关，在干氧氧化时， 晶面的氧化增强的效果最强。 5、（判断）硅经扩散工艺掺入的杂质均已完全电离，无需再退火激活，这种说法是否正确。
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易化扩散分为两种方式，即（）和（）。
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钢液脱氧有两种方式：沉淀脱氧扩散脱氧。（）
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杂质原子在半导体中的扩散机理比较复杂，但主要可分为（）扩散和（）扩散两种。
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杂质在硅中的扩散方式有哪些？
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煤气燃烧有扩散燃烧和动力燃烧两种方式。
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在晶片制造中，有两种方法可以向硅片中引入杂质元素，即热扩散和离子注入。
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物质发生在流体中的扩散的两种基本方式是（）。
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渗滤与扩散是油气运移的两种基本方式。
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杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种，分别是（）扩散和（）扩散。杂质只有在成为硅晶格结构的一部分，即（），才有助于形成半导体硅。
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热扩散利用（）驱动杂质穿过硅的晶体结构，这种方法受到（）和（）的影响。
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钢水脱氧方式只有沉淀脱氧和扩散脱氧两种。
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吸收过程中传质的基本方式中（）是湍流流体的主体与相界面之间的涡流扩散与分子扩散这两种传质作用的总称。
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肿瘤扩散的方式有_______和________两种。
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扩散的基本方式有哪两种？
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气泡扩散设备按其空气扩散方式和气泡大小可分为多孔性和（）性两种扩散设备。
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在硅中固态杂质的热扩散需要三个步骤：预淀积、推进和激活。
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扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即掺杂浓度大，扩散电流大；掺杂浓度小，扩散电流小。
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4、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。
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（1）若均匀掺杂NPN晶体管的参数如下所示，请采用理想晶体管模型计算该晶体管的注入效率、基区输运系数和共射极电流放大系数β0 发射区掺杂浓度NE＝5×10（^18)/CM（^3)，基区掺杂浓度NB＝1×10（^16)/CM（^3) 发射区宽度XE＝0.20μm， 基区宽度XB＝0.10μm 发射区少子扩散系数DE=10CM（^2)/S，基区少子扩散系数DB=25CM（^2)/S 发射区少子寿命τE0＝1×10（^-7)/S， 基区少子寿命τB0＝5×10（^-7)/S （2）实际生产中，工艺必然存在分散性。按照上述参数要求生产一批晶体管，如果不考虑其他参数的分散性，只考虑基区宽度XB分散范围在0.08μm到0.12μm之间，请计算这批晶体管共射极电流放大系数β0值的分散变化范围。
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以下掺杂浓度，哪些可以通过扩散工艺来实现（）
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判断：（1）气相外延时，能够通过使用低温硅源降低工艺温度来彻底避免自掺杂效应引起的杂质再分布。 （2）掺杂剂需要用氢稀释十~五十倍，以减小掺杂气体的流量误差。
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6、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即掺杂浓度大，扩散电流大；掺杂浓度小，扩散电流小。
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被动运输可以分为简单扩散和协助扩散两种方式。（)
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计算机病毒的扩散有（）和传播两种方式。
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