4、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。
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水质指标都是直接用水中所含该种杂质的量（即浓度）来表示。
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离子注入能够重复控制杂质的浓度和深度，因而在几乎所有应用中都优于扩散。
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杂质原子在半导体中的扩散机理比较复杂，但主要可分为（）扩散和（）扩散两种。
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杂质半导体多子的浓度受温度的影响很小。
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杂质半导体中少数载流子浓度（）
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杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种，分别是（）扩散和（）扩散。杂质只有在成为硅晶格结构的一部分，即（），才有助于形成半导体硅。
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扩散性半导体应变计是将N型咋杂质扩散到高阻的P型硅基片上,形成一层极薄的敏感层制成的
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在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于（） ，而多数载流子的浓度则与（）有很大关系。
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如果半导体中存在多种杂质，在通常情况下，可以认为基本上属于杂质饱和电离范围，其电阻率与杂质浓度的关系可近似表示为（）.
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杂质半导体中多数载流子的浓度取决于（）
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扩散工艺使杂质由半导体晶片表面向内部扩散，改变了晶片（），所以晶片才能被人们所使用。
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影响电流效率的主要因素是（），氧化铝浓度，添加剂，分子比，（），阴极电流密度，槽寿命，阳极效应系数，电解质内杂质含量和两水平。
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扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即掺杂浓度大，扩散电流大；掺杂浓度小，扩散电流小。
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◑在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于()。◑A.温度◑B.掺杂工艺◑C.杂质浓度◑D.晶体缺陷
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在本征硅半导体中,掺人浓度为5x10<sup>15</sup>cm<sup>-3</sup>的受主杂质,试指出T=300K时所形成的杂质半导体类型.若再掺人浓度为10<sup>16</sup>cm<sup>-3</sup>的施主杂质,则将为何种类型半导体？若将该半导体温度分别上升到T=500K、600K,试分析为何种类型半导体.
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制造晶体管一般是在高杂质浓度的n型衬底上外延一层n型的外延层，再在外延层中扩散硼、磷而成。①设n型硅单晶衬底是掺锑的，锑的电离能为0.039eV,300k时的E<sub>F</sub>位于导带底下面0.026eV处，计算锑的浓度和导带中电子浓度。②设n型外延层杂志均匀分布，杂质浓度为4.6x10<sup>15</sup>cm<sup>-3</sup>,计算300K时的E<sub>F</sub>位置和电子空穴浓度。③在外延层中扩散硼后，硼的浓度分布随样品深度变化。设扩散层某一深度处硼的浓度为5.2x10<sup>15</sup>cm<sup>-3</sup>,计算300K时E<sub>F</sub>位置和电子空穴浓度。④如温度升高到500，计算③中电子空穴的浓度。
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1. 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 （） A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 D.晶体缺陷
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当扩散电阻的表面杂质浓度低时，温度增加，压阻系数下降得（);当扩散电阻的表面杂质浓度高时，温度增加，压阻系数下降得（)。
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3、3、若半导体中同时存在施主杂质和受主杂质，且杂质浓度基本相等，则该半导体类似于本征半导体，半导体中的载流子基本由本征激发提供
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扩散工艺中杂质浓度分布的测量可以采用（)法测试。
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离子注入可以精确的控制杂质的分布,在表面杂质浓度最高,越远离表面浓度越低（）
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2、在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于 。
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6、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即掺杂浓度大，扩散电流大；掺杂浓度小，扩散电流小。
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2、在低于室温的条件下，杂质半导体的载流子浓度主要由 提供？
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