离子注入可以精确的控制杂质的分布,在表面杂质浓度最高,越远离表面浓度越低（）
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虽然直至今日我们仍普遍采用扩散区一词，但是硅片制造中已不再用杂质扩散来制作pn结，取而代之的是离子注入。
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离子注入会将原子撞击出晶格结构而损伤硅片晶格，高温退火过程能使硅片中的损伤部分或绝大部分得到消除，掺入的杂质也能得到一定比例的电激活。
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离子注入能够重复控制杂质的浓度和深度，因而在几乎所有应用中都优于扩散。
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恒定表面源扩散的杂质分布在数学上称为（）分布。
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在晶片制造中，有两种方法可以向硅片中引入杂质元素，即热扩散和离子注入。
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沉淀称量法中，洗涤沉淀的目的是为了除去混杂在沉淀中的母液和吸附在沉淀表面上的杂质，以及产生共沉淀的其他离子。
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在处理注入水时，来自地面水源的水总含有一定数量的机械杂质，使用沉淀法来除去悬浮杂质，实践证明，这种分离方法是无效的。
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如果半导体中存在多种杂质，在通常情况下，可以认为基本上属于杂质饱和电离范围，其电阻率与杂质浓度的关系可近似表示为（）.
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恒定表面源扩散的杂质分布在数学上称为什么分布？（）
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离子注入是唯一能够精确控制掺杂的手段。
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沉淀析出后，在沉淀与母液一起放置的过程中，溶液中本来难于析出的杂质离子可能沉淀到原沉淀表面上的现象称为（）现象。
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重量分析中，沉淀表面吸附杂质而引起沉淀沾污，沉淀表面最优先吸附的离子是（）
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绘图题：画出阳离子交换器失效时杂质离子在树脂层中的分布示意图。
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去水处理系统的环氧乙烷吸收循环水从循环水冷却器之前抽出，因为此处杂质浓度最高。（）
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离子注入掺杂的表面浓度不受固溶度限制，既可做浅结低浓度，也可做深结高浓度（）
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通过离子注入进入硅中的杂质离子会在半导体内有个峰值分布（）
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作为清洗过程的重要因素之一，水里面也可能含有各种各样的杂质，影响清洗的效果。这些杂质主要包括：（）以及其他可以让水的硬度升高的离子。
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移动式压力容器介质中的杂质如水分、氯离子、氢离子、硫化氢应加以控制，因为会造成压力容器腐蚀。（）
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生产易溶锰盐时硫化氢除去溶液中的Cu<sup>2+</sup>.Zn<sup>2+</sup>.Fe<sup>2+</sup>杂质离子，试通过计算说明，当MnS开始沉淀时，溶液中这些杂质离子的浓度（g.L<sup>-1</sup>)各为多少？
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为防止样品被污染，应对容器实施质量控制，随机选择清洗干净的瓶子，注入高纯水进行分析，以保证样品瓶不残留杂质。（)
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当扩散电阻的表面杂质浓度低时，温度增加，压阻系数下降得（);当扩散电阻的表面杂质浓度高时，温度增加，压阻系数下降得（)。
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扩散工艺中杂质浓度分布的测量可以采用（)法测试。
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沉淀表面吸附杂质浓度越大,则吸附杂质的量越少。（)
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2、二次离子质谱确定的是电激活杂质浓度。
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