恒定表面源扩散的杂质分布在数学上称为什么分布？（）
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分布在滑坡体前缘（尤以舌部为多），因滑坡体向两侧扩散而形成的放射状分布的张裂隙称为：（）
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在恒定电流的情况下，虽然带电粒子不断地运动，可导电媒质内的电荷分布（）
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一个活度为10微居的Cs-137源（半衰期为30.17年），30年内放出的γ射线的数目是否还服从泊松分布？为什么？
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恒定表面源扩散的杂质分布在数学上称为（）分布。
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天然气、煤气管道埋设在地下且泄漏点周围土壤介质分布均匀，地表层无太密实的路面，地下管道腐蚀穿孔处泄漏的气体能够扩散到地表，在地表面分布范围成圆形，其中间的浓度将会（）。
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用数学模拟药物在体内吸收、分布、代谢和排泄的速度过程而建立起来的数学模型（）
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恒定表面浓度的条件下，在整个扩散期间，（）保持恒定表面浓度。
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恒定表面源扩散
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下列扩散杂质源中，（）不仅是硅常用的施主杂质，也是锗常用的施主杂质。
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在银核区70光年范围内分布着2000多个什么射线源（）？
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在银核区70光年范围内分布着2000多个什么射线源？
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以被动扩散方式在体内分布的药物，影响其在各种组织、细胞等的分布的因素有
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4、常见的固态硼源扩散杂质源为
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在制作不规则散布物体时，可修改什么中的参数值使原对象均匀分布在对象表面上（)。
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下面（)选项所描述的扩散是：利用保护性气体把杂质源蒸汽携带入石英管内，杂质在高温下分解，并与衬底表面的硅原子发生反应，杂质原子向硅片内部扩散。
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一具有均匀内热源q'W／m³,端部绝热的圆柱体，其表面温度保持不变为twK。圆柱的半径是r=R。仅在半径方向有热流。假定圆柱的导热系数是常数，推导稳态时温度分布方程。
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制造晶体管一般是在高杂质浓度的n型衬底上外延一层n型的外延层，再在外延层中扩散硼、磷而成。①设n型硅单晶衬底是掺锑的，锑的电离能为0.039eV,300k时的E<sub>F</sub>位于导带底下面0.026eV处，计算锑的浓度和导带中电子浓度。②设n型外延层杂志均匀分布，杂质浓度为4.6x10<sup>15</sup>cm<sup>-3</sup>,计算300K时的E<sub>F</sub>位置和电子空穴浓度。③在外延层中扩散硼后，硼的浓度分布随样品深度变化。设扩散层某一深度处硼的浓度为5.2x10<sup>15</sup>cm<sup>-3</sup>,计算300K时E<sub>F</sub>位置和电子空穴浓度。④如温度升高到500，计算③中电子空穴的浓度。
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判断：（1）气相外延时，能够通过使用低温硅源降低工艺温度来彻底避免自掺杂效应引起的杂质再分布。 （2）掺杂剂需要用氢稀释十~五十倍，以减小掺杂气体的流量误差。
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当扩散电阻的表面杂质浓度低时，温度增加，压阻系数下降得（);当扩散电阻的表面杂质浓度高时，温度增加，压阻系数下降得（)。
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1、杂质的扩散掺杂两种方式： 和 。 2、实际扩散工艺采用两步扩散工艺，结合两种扩散工艺，分为 和 ，预淀积是惰性气氛下的 扩散，目的是 。再分布是惰性气氛下的 扩散，将窗口杂质再进一步向片内扩散，目的是 。 3、硅中点缺陷有 、 和 。 4、氧化增强与硅表面的取向有关，在干氧氧化时， 晶面的氧化增强的效果最强。 5、（判断）硅经扩散工艺掺入的杂质均已完全电离，无需再退火激活，这种说法是否正确。
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扩散工艺中杂质浓度分布的测量可以采用（)法测试。
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离子注入可以精确的控制杂质的分布,在表面杂质浓度最高,越远离表面浓度越低（）
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水和溶解在水中的溶质在体内经常保持着恒定的分布形式。体液的摄入与排出保持着严格的平衡。（)
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2、PPCPs在环境中的分布将主要通过（）和（）扩散。