下列扩散杂质源中，（）不仅是硅常用的施主杂质，也是锗常用的施主杂质。
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对于同时存在一种施主杂质和一种受主杂质的均匀掺杂的非简并半导体，在温度足够高、ni>>/ND-NA/时，半导体具有（）半导体的导电特性。
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在同时含有施主杂质和受主杂质的半导体中，由于受主能级比施主能级低得多，施主能级上的电子首先要去填充受主能级，使施主向导带提供电子的能力和受主向价带提供空穴的能力因相互抵消而减弱，这种现象称为杂质补偿。
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杂质在硅中的扩散方式有哪些？
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恒定表面源扩散的杂质分布在数学上称为（）分布。
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在空位扩散中，如果迁移的空位的原子是杂质原子，扩散称为（）。
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（）的氧化物是硅砂中的主要的杂质成分。
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杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种，分别是（）扩散和（）扩散。杂质只有在成为硅晶格结构的一部分，即（），才有助于形成半导体硅。
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施主杂质和受主杂质的含义是什么？
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化合物半导体砷化镓常用的施主杂质是（）。
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施主杂质
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如果杂质既有施主的作用又有受主的作用，则这种杂质称为（）。
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二氧化硅在扩散时能对杂质起掩蔽作用进行（）扩散。
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如果向半导体中重掺施主杂质，就你所知会出现一些什么效应？
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在半导体中掺入施主杂质，其将成为N型半导体。
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4、常见的固态硼源扩散杂质源为
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4、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。
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计算含有施主杂质浓度ND=9X 1015cm3及受主杂质浓度为1.1 X 1016cm-3的硅在300k时的电子和空穴浓度以及费米能级的位置。
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下面（)选项所描述的扩散是：利用保护性气体把杂质源蒸汽携带入石英管内，杂质在高温下分解，并与衬底表面的硅原子发生反应，杂质原子向硅片内部扩散。
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方块电阻反映了单位面积扩散进去的杂质总量，扩散的杂质越多，电阻越大，反之，电阻越小。
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以下属于间隙式扩散的杂质有（）
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当扩散电阻的表面杂质浓度低时，温度增加，压阻系数下降得（);当扩散电阻的表面杂质浓度高时，温度增加，压阻系数下降得（)。
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3、3、若半导体中同时存在施主杂质和受主杂质，且杂质浓度基本相等，则该半导体类似于本征半导体，半导体中的载流子基本由本征激发提供
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18、根据扩散杂质在晶格中的位置不同，将扩散分为
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6、根据扩散杂质在晶格中的位置不同，将扩散分为
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