杂质在硅中的扩散方式有哪些？
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扩散率越大，杂质在硅片中的移动速度就越大。
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技术创新扩散主体是指在技术创新扩散系统中的从事技术创新实践的人或组织这样的子系统，不但包含在技术供给者中，而且还包含技术采用者。具体讲，技术创新扩散主体有哪些（）
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杂质原子在半导体中的扩散机理比较复杂，但主要可分为（）扩散和（）扩散两种。
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若n型硅中掺入受主杂质，费米能级升高还是降低？若温度升高当本征激发起作用时，费米能级在什么位置，为什么？
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杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种，分别是（）扩散和（）扩散。杂质只有在成为硅晶格结构的一部分，即（），才有助于形成半导体硅。
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硅中的杂质只有一部分被真正激活，并提供用于导电的电子或空穴（大约3%~5%），大多数杂质仍然处在间隙位置，没有被电学激活。
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发生在流体中的扩散方式有（）。
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能量色散X射线荧光光谱仪的Si（Li）检测器和前置放大器在室温下锂原子会在硅中扩散，由此影响检测器的性能。因此必须放置在液氮中，使电子噪声降低至可接受水平。
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在晶体硅中掺入元素（）杂质后，能形成N型半导体。
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在硅半导体中掺入少量的磷杂质，这种半导体一般称为（）型半导体。
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在硅中固态杂质的热扩散需要三个步骤：预淀积、推进和激活。
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20、当半导体硅中掺有受主杂质时，主要靠______导电，这种半导体称为P型半导体。
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4、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。
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下面（)选项所描述的扩散是：利用保护性气体把杂质源蒸汽携带入石英管内，杂质在高温下分解，并与衬底表面的硅原子发生反应，杂质原子向硅片内部扩散。
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方块电阻反映了单位面积扩散进去的杂质总量，扩散的杂质越多，电阻越大，反之，电阻越小。
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通过离子注入进入硅中的杂质离子会在半导体内有个峰值分布（）
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以下属于间隙式扩散的杂质有（）
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肿瘤扩散方式有哪些（)。
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1、杂质的扩散掺杂两种方式： 和 。 2、实际扩散工艺采用两步扩散工艺，结合两种扩散工艺，分为 和 ，预淀积是惰性气氛下的 扩散，目的是 。再分布是惰性气氛下的 扩散，将窗口杂质再进一步向片内扩散，目的是 。 3、硅中点缺陷有 、 和 。 4、氧化增强与硅表面的取向有关，在干氧氧化时， 晶面的氧化增强的效果最强。 5、（判断）硅经扩散工艺掺入的杂质均已完全电离，无需再退火激活，这种说法是否正确。
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18、根据扩散杂质在晶格中的位置不同，将扩散分为
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6、根据扩散杂质在晶格中的位置不同，将扩散分为
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