杂质在硅中的扩散方式有哪些?
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发生在流体中的扩散方式有()。
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在晶体硅中掺入元素()杂质后,能形成N型半导体。
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在硅半导体中掺入少量的磷杂质,这种半导体一般称为()型半导体。
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在硅中固态杂质的热扩散需要三个步骤:预淀积、推进和激活。
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20、当半导体硅中掺有受主杂质时,主要靠______导电,这种半导体称为P型半导体。
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4、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的,即杂质浓度大,扩散电流大;杂质浓度小,扩散电流小。
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下面()选项所描述的扩散是:利用保护性气体把杂质源蒸汽携带入石英管内,杂质在高温下分解,并与衬底表面的硅原子发生反应,杂质原子向硅片内部扩散。
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方块电阻反映了单位面积扩散进去的杂质总量,扩散的杂质越多,电阻越大,反之,电阻越小。
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通过离子注入进入硅中的杂质离子会在半导体内有个峰值分布()
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以下属于间隙式扩散的杂质有()
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1、杂质的扩散掺杂两种方式: 和 。 2、实际扩散工艺采用两步扩散工艺,结合两种扩散工艺,分为 和 ,预淀积是惰性气氛下的 扩散,目的是 。再分布是惰性气氛下的 扩散,将窗口杂质再进一步向片内扩散,目的是 。 3、硅中点缺陷有 、 和 。 4、氧化增强与硅表面的取向有关,在干氧氧化时, 晶面的氧化增强的效果最强。 5、(判断)硅经扩散工艺掺入的杂质均已完全电离,无需再退火激活,这种说法是否正确。
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18、根据扩散杂质在晶格中的位置不同,将扩散分为
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6、根据扩散杂质在晶格中的位置不同,将扩散分为
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