通过离子注入进入硅中的杂质离子会在半导体内有个峰值分布()
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虽然直至今日我们仍普遍采用扩散区一词,但是硅片制造中已不再用杂质扩散来制作pn结,取而代之的是离子注入。
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在光纤材料中的杂质如氢氧根离子(OH-)、过渡金属离子(铜、铁、铬等)对光的吸收能力极强,它们是产生光纤损耗的主要因素。
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离子注入会将原子撞击出晶格结构而损伤硅片晶格,高温退火过程能使硅片中的损伤部分或绝大部分得到消除,掺入的杂质也能得到一定比例的电激活。
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离子注入能够重复控制杂质的浓度和深度,因而在几乎所有应用中都优于扩散。
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依据《中国药典》(2010年版),用硫氰酸盐法检查铁盐杂质,通常要将供试品中的亚铁离子氧化成高铁离子再进行检查。铁盐检查中常用的酸为()
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杂质在硅中的扩散方式有哪些?
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碱水驱注入清水或淡盐水的目的是清除油层中的含()等高价离子的地层水。
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半导体芯片生产中,离子注入主要是用来()。
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在晶片制造中,有两种方法可以向硅片中引入杂质元素,即热扩散和离子注入。
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镀铬液中的氯离子是有害杂质,当它超过允许含量时,可以用硝酸银去除。
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硅中的杂质只有一部分被真正激活,并提供用于导电的电子或空穴(大约3%~5%),大多数杂质仍然处在间隙位置,没有被电学激活。
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依据《中国药典》(2010年版),用硫氰酸盐法检查铁盐杂质,通常要将供试品中的亚铁离子氧化成高铁离子再进行检查。硫氰酸盐法使用的氧化剂是()
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油类杂质能()树脂微孔,使这些微孔中的()不能进行离子交换作用,从而降低树脂的交换容量。
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P型半导体中不能移动的杂质离子带负电,说明P型半导体呈负电性。
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在晶体硅中掺入元素()杂质后,能形成N型半导体。
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绘图题:画出阳离子交换器失效时杂质离子在树脂层中的分布示意图。
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半导体中的离子注入掺杂是把掺杂剂()加速到的需要的(),直接注入到半导体晶片中,并经适当温度的()。
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离子注入是借其()强行进入靶材料中的一个()物理过程。
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20、当半导体硅中掺有受主杂质时,主要靠______导电,这种半导体称为P型半导体。
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依据《中国药典》(2010年版),用硫氰酸盐法检查铁盐杂质,通常要将供试品中的亚铁离子氧化成高铁离子再进行检查。硫氰酸盐法使用的氧化剂是A、硫酸
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移动式压力容器介质中的杂质如水分、氯离子、氢离子、硫化氢应加以控制,因为会造成压力容器腐蚀。()
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生产易溶锰盐时硫化氢除去溶液中的Cu<sup>2+</sup>.Zn<sup>2+</sup>.Fe<sup>2+</sup>杂质离子,试通过计算说明,当MnS开始沉淀时,溶液中这些杂质离子的浓度(g.L<sup>-1</sup>)各为多少?
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为除去 PbCrO 4 中的 SO 4 2- 杂质 , 每次用 100mL 去离子水洗涤,一次和三次洗涤后 PbCO 4 的损失分别是()
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离子注入可以精确的控制杂质的分布,在表面杂质浓度最高,越远离表面浓度越低()
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