方块电阻反映了单位面积扩散进去的杂质总量,扩散的杂质越多,电阻越大,反之,电阻越小。
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扩散率越大,杂质在硅片中的移动速度就越大。
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杂质原子在半导体中的扩散机理比较复杂,但主要可分为()扩散和()扩散两种。
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杂质在硅中的扩散方式有哪些?
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恒定表面源扩散的杂质分布在数学上称为()分布。
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在空位扩散中,如果迁移的空位的原子是杂质原子,扩散称为()。
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杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种,分别是()扩散和()扩散。杂质只有在成为硅晶格结构的一部分,即(),才有助于形成半导体硅。
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热扩散利用()驱动杂质穿过硅的晶体结构,这种方法受到()和()的影响。
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恒定表面源扩散的杂质分布在数学上称为什么分布?()
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扩散工艺使杂质由半导体晶片表面向内部扩散,改变了晶片(),所以晶片才能被人们所使用。
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二氧化硅在扩散时能对杂质起掩蔽作用进行()扩散。
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在硅中固态杂质的热扩散需要三个步骤:预淀积、推进和激活。
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下列扩散杂质源中,()不仅是硅常用的施主杂质,也是锗常用的施主杂质。
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扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的,即掺杂浓度大,扩散电流大;掺杂浓度小,扩散电流小。
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4、常见的固态硼源扩散杂质源为
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4、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的,即杂质浓度大,扩散电流大;杂质浓度小,扩散电流小。
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下面()选项所描述的扩散是:利用保护性气体把杂质源蒸汽携带入石英管内,杂质在高温下分解,并与衬底表面的硅原子发生反应,杂质原子向硅片内部扩散。
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以下属于间隙式扩散的杂质有()
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4、4. 当晶体中杂质含量增加时,非本征扩散与本征扩散的温度转折点()
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当扩散电阻的表面杂质浓度低时,温度增加,压阻系数下降得();当扩散电阻的表面杂质浓度高时,温度增加,压阻系数下降得()。
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1、杂质的扩散掺杂两种方式: 和 。 2、实际扩散工艺采用两步扩散工艺,结合两种扩散工艺,分为 和 ,预淀积是惰性气氛下的 扩散,目的是 。再分布是惰性气氛下的 扩散,将窗口杂质再进一步向片内扩散,目的是 。 3、硅中点缺陷有 、 和 。 4、氧化增强与硅表面的取向有关,在干氧氧化时, 晶面的氧化增强的效果最强。 5、(判断)硅经扩散工艺掺入的杂质均已完全电离,无需再退火激活,这种说法是否正确。
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扩散工艺中杂质浓度分布的测量可以采用()法测试。
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6、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的,即掺杂浓度大,扩散电流大;掺杂浓度小,扩散电流小。
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18、根据扩散杂质在晶格中的位置不同,将扩散分为
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6、根据扩散杂质在晶格中的位置不同,将扩散分为