扩散工艺中杂质浓度分布的测量可以采用（)法测试。
相似题目
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离子注入能够重复控制杂质的浓度和深度，因而在几乎所有应用中都优于扩散。
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恒定表面源扩散的杂质分布在数学上称为（）分布。
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采用乙醇沉淀法除去水提取液中多糖等杂质，应使乙醇浓度达到（）
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土壤氡气的浓度一般大于数千Bq/m3，这样高的氡浓度的测量可以采用下面那些方法测试（）。
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FGA—4100汽车排放分析仪可以同时测量汽车排气中（）等气体的浓度值，并能测试出发动机转速、空燃比及油温等参数。
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对于浓度覆盖很宽的杂质原子，可以采用（）方法引入到硅片中。
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恒定表面源扩散的杂质分布在数学上称为什么分布？（）
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纸片扩散法药敏试验的影响因素很多，如培养基、含药纸片、菌悬液浓度、实验过程及结果测量等。关于MH培养基，不正确的是（）
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扩散工艺使杂质由半导体晶片表面向内部扩散，改变了晶片（），所以晶片才能被人们所使用。
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纸片扩散法药敏试验的影响因素很多，如培养基、含药纸片、菌悬液浓度、实验过程及结果测量等。关于含药纸片，错误的是（）
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纸片扩散法药敏试验的影响因素很多，如培养基、含药纸片、菌悬液浓度、实验过程及结果测量等。关于质量控制，错误的是（）
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采用火焰原子吸收光度法测定样品，当待测原子浓度较高时，为避免过度稀释和向试样中引入杂质，可选取次灵敏线进行测定。
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扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即掺杂浓度大，扩散电流大；掺杂浓度小，扩散电流小。
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4、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。
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◑在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于()。◑A.温度◑B.掺杂工艺◑C.杂质浓度◑D.晶体缺陷
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制造晶体管一般是在高杂质浓度的n型衬底上外延一层n型的外延层，再在外延层中扩散硼、磷而成。①设n型硅单晶衬底是掺锑的，锑的电离能为0.039eV,300k时的E<sub>F</sub>位于导带底下面0.026eV处，计算锑的浓度和导带中电子浓度。②设n型外延层杂志均匀分布，杂质浓度为4.6x10<sup>15</sup>cm<sup>-3</sup>,计算300K时的E<sub>F</sub>位置和电子空穴浓度。③在外延层中扩散硼后，硼的浓度分布随样品深度变化。设扩散层某一深度处硼的浓度为5.2x10<sup>15</sup>cm<sup>-3</sup>,计算300K时E<sub>F</sub>位置和电子空穴浓度。④如温度升高到500，计算③中电子空穴的浓度。
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1. 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 （） A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 D.晶体缺陷
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以下掺杂浓度，哪些可以通过扩散工艺来实现（）
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当扩散电阻的表面杂质浓度低时，温度增加，压阻系数下降得（);当扩散电阻的表面杂质浓度高时，温度增加，压阻系数下降得（)。
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采用乙醇沉淀法除去水提取液中多糖蛋白质等杂质时，乙醇浓度应达到（）
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1、杂质的扩散掺杂两种方式： 和 。 2、实际扩散工艺采用两步扩散工艺，结合两种扩散工艺，分为 和 ，预淀积是惰性气氛下的 扩散，目的是 。再分布是惰性气氛下的 扩散，将窗口杂质再进一步向片内扩散，目的是 。 3、硅中点缺陷有 、 和 。 4、氧化增强与硅表面的取向有关，在干氧氧化时， 晶面的氧化增强的效果最强。 5、（判断）硅经扩散工艺掺入的杂质均已完全电离，无需再退火激活，这种说法是否正确。
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离子注入可以精确的控制杂质的分布,在表面杂质浓度最高,越远离表面浓度越低（）
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6、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即掺杂浓度大，扩散电流大；掺杂浓度小，扩散电流小。
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14、P在两歩扩散工艺中，第二步再分布的同时又进行了热氧化（kp=10），这会给再分布扩散带来哪些影响：