以下掺杂浓度,哪些可以通过扩散工艺来实现()
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当水中离子浓度较大(在0.1mol∕L以上)时,离子的膜扩散速度较快,此时内扩散过程成为整个离子交换速度的控制因素,这相当于水处理工艺中树脂再生时的情况;当水中离子浓度较小(在0.003mol∕L以下)时,离子的膜扩散速度就变得比较慢,整个离子交换速度受膜扩散过程控制,这相当于阳离子交换树脂进行水软化时的情况。()
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以下哪些工艺应用的原子扩散的理论()
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当水中离子浓度较大(在0.1mol∕L以上)时,膜扩散速度较快,整个交换速度偏向受内扩散控制,这相当于水处理工艺中树脂再生时的情况;当水中离子浓度较小(在0.003mol∕L以下)时,膜扩散速度就变得很慢,整个交换速度偏向受膜扩散控制,这相当于阳离子交换树脂进行水软化时的情况。()
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当水中离子浓度较大(在0.1mol∕L以上)时,()扩散速度较快,整个交换速度偏向受()扩散控制,这相当于水处理工艺中树脂()时的情况;当水中离子浓度较小(在0.003mol∕L以下)时,()扩散速度就变得很慢,整个交换速度偏向受()扩散控制,这相当于阳离子交换树脂进行()时的情况。
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由于扩散过程是依靠浓度梯度而进行的,所以水中离子浓度是影响扩散速度的重要因素。当水中离子浓度较大(在0.1mol∕L以上)时,膜扩散速度较快,整个交换速度偏向受内扩散控制,这相当于水处理工艺中树脂再生时的情况;若水中离子浓度较小(在0.003mol∕L以下)时,膜扩散速度就变得很慢,整个交换速度偏向受膜扩散控制,这相当于阳离子交换树脂进行水软化时的情况。当然水中离子浓度变化时,树脂因膨胀和收缩也会影响内扩散速度。()
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(1)若均匀掺杂NPN晶体管的参数如下所示,请采用理想晶体管模型计算该晶体管的注入效率、基区输运系数和共射极电流放大系数β0 发射区掺杂浓度NE=5×10(^18)/CM(^3),基区掺杂浓度NB=1×10(^16)/CM(^3) 发射区宽度XE=0.20μm, 基区宽度XB=0.10μm 发射区少子扩散系数DE=10CM(^2)/S,基区少子扩散系数DB=25CM(^2)/S 发射区少子寿命τE0=1×10(^-7)/S, 基区少子寿命τB0=5×10(^-7)/S (2)实际生产中,工艺必然存在分散性。按照上述参数要求生产一批晶体管,如果不考虑其他参数的分散性,只考虑基区宽度XB分散范围在0.08μm到0.12μm之间,请计算这批晶体管共射极电流放大系数β0值的分散变化范围。
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1. 在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 () A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 D.晶体缺陷
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题3-2-2 固相扩散是通过微观粒子一系列随机跳跃来实现的,主要有三种方式。如下不是固相扩散方式的是: 。
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