热扩散利用（）驱动杂质穿过硅的晶体结构，这种方法受到（）和（）的影响。

相似题目

• 完全纯净的，没有任何杂质且晶体结构完整的半导体的单晶体称为（）。

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• 扩散过程与晶体结构有密切的关系，扩散介质结构（），扩散（）。

  A . 越紧密；越困难 B . 越疏松；越困难 C . 越紧密；活化能越小 D . 越疏松；活化能越大

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• 油水分离器就是将油和水分离开来的仪器，原理主要是根据水和油的（）差，利用（）原理去除杂质和水份的分离器，内部还有扩散锥，滤网等分离元件。

  A . 密度化学吸附 B . 比热重力沉降 C . 密度重力沉降 D . 比热化学吸附

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• 晶体三极管的电流放大作用就是利用空穴在基区的扩散与复合这一矛盾，使扩散运动大大超过复合。

  A . 正确 B . 错误

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• 利用催化来的循环热水作低温热源，这种方法属于装置之间的热联合，充分有效的利用了资源，减少了能量的浪费。

  A . 正确 B . 错误

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• 物理课上，老师制作了f1ash来展示子弹穿过木块的过程所受到的力。这种教学方式是运用感知觉规律的（）。

  A . 差异律 B . 活动律 C . 组合律 D . 强度律

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• 字迹材料写在纸上，当受到湿度、溶剂的影响时，容易扩散和褪色。这种比较耐久的结合方式是（）。

  A . 结膜方式 B . 转移方式 C . 吸性方式 D . 渗透方式 E . 黏附方式

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• 扩散磁共振成像技术利用扩散敏感梯度从多个方向对水分子的扩散各向异性进行量化，从而反映活体组织内的细微结构，该技术为无创的成像方法，在临床的应用也得到逐渐推广。水分子扩散程度及毛细血管灌注信息均可获得的成像方法是（）。

  A . DWI B . DTI C . DKI D . IVIM E . PWI

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• 在晶片制造中，有两种方法可以向硅片中引入杂质元素，即热扩散和离子注入。

  A . 正确 B . 错误

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• 杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种，分别是（）扩散和（）扩散。杂质只有在成为硅晶格结构的一部分，即（），才有助于形成半导体硅。

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• 空位扩散是指晶体中的空位跃迁入邻近原子，而原子反向迁入空位，这种扩散机制适用于（）的扩散

  A . 各种类型固溶体 B . 间隙型固溶体 C . 置换型固溶体 D . A和B

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• 重结晶是利用杂质和结晶物质在不同溶剂和不同温度下的溶解度不同，将晶体用合适的溶剂再次结晶，以获得高纯度的晶体的操作。

  A . 正确 B . 错误

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• 在晶体缺陷理论中外来原子进入晶格就成为晶体中的杂质，这种杂质原子如果取代原来晶体中的原子而进入正常结点的位置称为（）

  A . A.取代原子 B . B.空位原子 C . C.杂质原子 D . D.填隙原子

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• 简述纯金属凝固时润湿角θ、杂质颗粒的晶体结构和表面形态对异质形核的影响。

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• 扩散磁共振成像技术利用扩散敏感梯度从多个方向对水分子的扩散各向异性进行量化，从而反映活体组织内的细微结构，该技术为无创的成像方法，在临床的应用也得到逐渐推广。关于扩散峰度成像（DKI），叙述错误的是（）。

  A . 基于组织内水分子为非高斯运动提出 B . 对组织微结构变化较敏感 C . 很难区分复杂的纤维结构 D . 对扩散方向个数及b值要求高 E . 应用多见于中枢神经系统，也可见于其他部位

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• 在硅中固态杂质的热扩散需要三个步骤：预淀积、推进和激活。

  A . 正确 B . 错误

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• 当某些晶体受到拉力或压力时，产生形变，从而晶体的表面上出现电荷，这种现象称为（）效应，这一效应是可逆的

  A . A、压电 B . B、振动 C . C、逆压电 D . D、应变

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• 在多晶体中，晶界是原子（离子）快速扩散的通道，并容易引起杂质原子（离子）偏聚，同时也使晶界处熔点（）晶粒；晶界上原子排列混乱，存在着许多空位、位错和键变形等缺陷，使之处于应力畸变状态。

  A . 低于 B . 高于 C . 等于 D . 不确定

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• 扩散系数会随着晶体结构的改变而变化，例如铁原子在α-Fe中的自扩散系数比在γ－Fe中的自扩散系数大。

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• 在金属晶体中，由于晶体的形成条件、原子的热运动及其他各种因素的影响，原子规则排列在局部区域受到破坏，呈现出不完整，导致金属的实际性能比理想晶体结构（）

  A．高 B．相等 C．低

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• 下面（)选项所描述的扩散是：利用保护性气体把杂质源蒸汽携带入石英管内，杂质在高温下分解，并与衬底表面的硅原子发生反应，杂质原子向硅片内部扩散。

  A．气态源扩散 B．液态源扩散 C．固态源扩散 D．旋涂源扩散

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• 4、4. 当晶体中杂质含量增加时，非本征扩散与本征扩散的温度转折点（)

  A．下降 B．不变 C．上升 D．无变化规律

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• 1、杂质的扩散掺杂两种方式： 和 。 2、实际扩散工艺采用两步扩散工艺，结合两种扩散工艺，分为 和 ，预淀积是惰性气氛下的 扩散，目的是 。再分布是惰性气氛下的 扩散，将窗口杂质再进一步向片内扩散，目的是 。 3、硅中点缺陷有 、 和 。 4、氧化增强与硅表面的取向有关，在干氧氧化时， 晶面的氧化增强的效果最强。 5、（判断）硅经扩散工艺掺入的杂质均已完全电离，无需再退火激活，这种说法是否正确。

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• 35、杂质离子与构晶离子的半径相近、电荷相同、所形成晶体的结构相同时，易形成混晶。

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