对于同时存在一种施主杂质和一种受主杂质的均匀掺杂的非简并半导体，在温度足够高、ni>>/ND-NA/时，半导体具有（）半导体的导电特性。

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• 掺杂的杂质和沾污的杂质是一样的效果。

  A . 正确 B . 错误

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  A . 正确 B . 错误

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  A . 正确 B . 错误

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• 半导体硅常用的受主杂质是（）。

  A . 锡 B . 硫 C . 硼 D . 磷

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• 对于仅含一种杂质的锗样品，如果要确定载流子符号、浓度、迁移率和有效质量，应进行哪些测量？

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• 施主杂质和受主杂质的含义是什么？

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• 化合物半导体砷化镓常用的施主杂质是（）。

  A . 锡 B . 硼 C . 磷 D . 锰

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• 施主杂质

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• 在半导体中掺人微量的有用杂质，制成掺杂半导体。掺杂半导体有（）。

  A . A、W型 B . B、N型有P型 C . C、U型 D . D、V型

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• 如果杂质既有施主的作用又有受主的作用，则这种杂质称为（）。

  A . A.施主 B . B.受主 C . C.复合中心 D . D.两性杂质

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• 含有二氧化碳较多的水，pH低，呈酸性，会腐蚀金属，同时会加速溶解氧对金属的腐蚀，是一种有害杂质。（）

  A . 正确 B . 错误

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• 举例说明什么是受主杂质，什么是p型半导体？

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• 下列扩散杂质源中，（）不仅是硅常用的施主杂质，也是锗常用的施主杂质。

  A . 硼 B . 锡 C . 锑 D . 磷 E . 砷

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• 受主杂质

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• 20、当半导体硅中掺有受主杂质时，主要靠______导电，这种半导体称为P型半导体。

  A．空穴 B．电子 C．离子 D．量子

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• 扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即掺杂浓度大，扩散电流大；掺杂浓度小，扩散电流小。

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• ◑在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于()。◑A.温度◑B.掺杂工艺◑C.杂质浓度◑D.晶体缺陷

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• 在本征硅半导体中,掺人浓度为5x10¹⁵cm^-3的受主杂质,试指出T=300K时所形成的杂质半导体类型.若再掺人浓度为10¹⁶cm^-3的施主杂质,则将为何种类型半导体？若将该半导体温度分别上升到T=500K、600K,试分析为何种类型半导体.

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• 对于水中的非磁性物质，可通过投加（)和混凝剂，在磁场作用下，产生絮凝作用，使杂质分离出来。

  A．A.磁种 B．B.絮凝剂 C．C.硫酸 D．D.火碱

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• 计算含有施主杂质浓度ND=9X 1015cm3及受主杂质浓度为1.1 X 1016cm-3的硅在300k时的电子和空穴浓度以及费米能级的位置。

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• 1. 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 （） A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 D.晶体缺陷

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• 3、3、若半导体中同时存在施主杂质和受主杂质，且杂质浓度基本相等，则该半导体类似于本征半导体，半导体中的载流子基本由本征激发提供

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  A．总灰分 B．硫酸盐灰分 C．酸不溶性灰分 D．生理灰分

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• 6、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即掺杂浓度大，扩散电流大；掺杂浓度小，扩散电流小。

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