对于仅含一种杂质的锗样品，如果要确定载流子符号、浓度、迁移率和有效质量，应进行哪些测量？

相似题目

• 如果半导体内载流子浓度分布不均匀，那么无需电场力作用，载流子便会从（）运动。

  A . A、浓度高的区域向浓度低的区域 B . B、浓度低的区域向浓度高的区域 C . C、一端向另一端 D . D、负电子向正空穴

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• 对于铸造多晶硅氧浓度越（），钝化效果越（），少数载流子寿命增加越（）

  A . 低，好，多 B . 低，好，少 C . 低，差，多 D . 高，好，多

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• 如果原料气中杂质浓度过高，则应及时缩短（），并适当降低（）。

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• 在杂质半导体中，杂质饱和电离区载流子的主要来源是本征激发的载流子。

  A . 正确 B . 错误

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• 杂质半导体中少数载流子浓度（）

  A . 与掺杂浓度和温度无关 B . 只与掺杂浓度有关 C . 只与温度有关 D . 与掺杂浓度和温度有关

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• 对于浓度覆盖很宽的杂质原子，可以采用（）方法引入到硅片中。

  A . 离子注入 B . 溅射 C . 淀积 D . 扩散

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• 在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于（） ，而多数载流子的浓度则与（）有很大关系。

  A . 温度 B . 掺杂工艺 C . 杂质浓度 D . 晶体缺陷 E . 空穴 F . 自由电子

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• 不同药物在生物样品中的浓度相差很大，对于药物浓度越小，则样品制备要求（）

  A . 越低 B . 越高 C . 一般 D . 无关系 E . 不一定

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• 杂质半导体中多数载流子的浓度取决于（）

  A . 温度 B . 杂质浓度 C . 电子空穴对数目 D . 都不是

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• 如果稃壳构造（包括稃壳杂质）占一个样品的（）或更多，则该样品被认为属于有稃壳的种子。

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• 适用于各种恶臭源以不同形式排放的气体样品和环境空气样品中臭气浓度的测定，样品为仅含一种恶臭物质的样品。

  A . 正确 B . 错误

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• 对于文法G，仅含终结符号的句型称为（）。

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• 将只含一种杂质的铁粉5.6 g放入足量稀盐酸中，最终可以收集到氢气0.18 g，则铁粉 中不可能含有的杂质是(相对原子质量Fe-56，Cu-64，Zn-65，Mg-24，Ag-108)( )。

  A . Cu B . Zn C . Mg D . Ag

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• 采样过程中要设法保存样品原有的（），防止成分逸散或带入杂质。

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• 采用火焰原子吸收光度法测定样品，当待测原子浓度较高时，为避免过度稀释和向试样中引入杂质，可选取次灵敏线进行测定。

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• ◑在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于()。◑A.温度◑B.掺杂工艺◑C.杂质浓度◑D.晶体缺陷

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• 用n+1位字长（含一位符号位)表示原码定点整数时，所能表示的数值范围是（1)；用n+1位字长（含一位符号

  用n+1位字长(含一位符号位)表示原码定点整数时，所能表示的数值范围是(1)；用n+1位字长(含一位符号位)表示原码定点小数时，所能表示的数值范围是(2)。 A．0≤|N|≤2n-1-1 B．0≤|N|≤2n-1 C．0≤|N|≤2n+1-1 D．0≤|N|≤2n+2-1

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• 1. 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 （） A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 D.晶体缺陷

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• 对于出现两次（含两次)以上一般违章及一次（含一次)以上严重违章的职工，基层队要按照公司约谈管理办法与本人面对面约谈。（)

  是 否

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• 3、3、若半导体中同时存在施主杂质和受主杂质，且杂质浓度基本相等，则该半导体类似于本征半导体，半导体中的载流子基本由本征激发提供

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• 2、在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于 。

  A．温度 B．杂质浓度 C．晶体缺陷 D．掺杂工艺

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• 3、用16位表示一个数，阶码部分占5位（含一位符号位），尾数部分占11位（含一位符号位）。x=13/128，试写出x的补码浮点数表示格式。

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• 2、二次离子质谱确定的是电激活杂质浓度。

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• 2、在低于室温的条件下，杂质半导体的载流子浓度主要由 提供？

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