杂质半导体中少数载流子浓度()
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N型杂质半导体中,多数载流子是()
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在P型半导体中,空穴是多数载流子,电子是少数载流子。
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半导体载流子在输运过程中,会受到各种散射机构的散射,主要散射机构有()、()、中性杂质散射、位错散射、载流子间的散射和等价能谷间散射。
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在杂质半导体中,杂质饱和电离区载流子的主要来源是本征激发的载流子。
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当二极管加反向电压时,二极管将有很小的反向电流流过,这个反向电流是由P型和N型半导体中少数载流子的漂移运动产生的。
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N型半导体中,自由电子是多数载流子,空穴是少数载流子。
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在杂质半导体中,少数载流子的浓度主要取决于() ,而多数载流子的浓度则与()有很大关系。
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杂质半导体中多数载流子的浓度取决于()
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杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中,当温度升高时,电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是()
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在N型半导体中,电子是少数载流子,空穴是多数载流子。()
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在本征半导体中掺微量的三价元素,就称为P型半导体,其多数载流子是空穴,少数载流子是(________),它主要依靠多数载流子导电。
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空穴为( )载流子。自由电子为( )载流子的杂质半导体称为P型半导体。
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P型半导体是在本征半导体中掺入 价元素,其多数载流子是 ,少数载流子是 。
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P型半导体中的多数载流子是______;少数载流子是______。
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◑在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于()。◑A.温度◑B.掺杂工艺◑C.杂质浓度◑D.晶体缺陷
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1. 在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 () A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 D.晶体缺陷
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半导体的导电特性及PN结P型半导体中少数载流子是()
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在N 型半导体中 是多数载流子, 是少数载流子。
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20、P型半导体中空穴为少数载流子,自由电子为多数载流子。
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3、3、若半导体中同时存在施主杂质和受主杂质,且杂质浓度基本相等,则该半导体类似于本征半导体,半导体中的载流子基本由本征激发提供
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2、在杂质半导体中,少数载流子的浓度主要取决于 。
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1、杂质半导体中的载流子受温度影响较大的是()。
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2、在低于室温的条件下,杂质半导体的载流子浓度主要由 提供?
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6、在P型半导体中空穴是多数载流子,自由电子是少数载流子。
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