薄膜太阳能电池的半导体薄膜不能是()。
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近年来,薄膜太阳能电池技术发展迅速,下列关于薄膜太阳能电池技术说法不正确的是( )。
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按照制造工艺可分为半导体集成电路、薄膜集成电路和()集成电路。
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()的打印头是一种带有发热电阻的薄膜头,是利用半导体集成电路技术制造而成的
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薄膜电池分为:()和非晶硅薄膜电池。
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几乎所有的III-v族化合物半导体都是()能带结构,具有(),光吸收系数很大,对薄膜太阳能电池是有用的。
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目前,薄膜电池占全球光伏市场的()左右。
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光伏电池实现薄膜化后有什么优点?
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在半导体工艺中,如果淀积的薄膜不是连续的,存在一些空隙,则()。
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在制造CIGS薄膜太阳能电池的方法中,广泛使用()
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应变计按照半导体式可分为体型和薄膜型
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太阳能电池分为()和薄膜太阳能电池两大类。
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单晶硅、多晶硅、非晶硅和铜铟镓硒薄膜电池等是太阳能()技术的最基本元件。
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非晶硅薄膜太阳能电池中的TCO是透明导电膜的简称,制作时将其做成绒面的目的是()。
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在半导体工艺中,淀积的薄膜层应满足的参数包含有()。
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发展现代商业化的薄膜太阳能电池主要原因是为了()。
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薄膜光伏电池制备工艺中,等离子增强化学气相沉淀法的英文缩写是()
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如附图所示,制造半导体元件时,常常要精确测定硅片上二氧化硅薄膜的厚度,这时可把二氧化硅薄膜的一部分腐蚀掉,使其形成劈尖,利用等厚条纹测出其厚度。已知Si的折射率为3.42,siO2的折射率为1.5,入射光波长为589.3nm,观察到7条暗纹。问SiO2薄膜的厚度h是多少?
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8、单结p-i-n结构微晶硅薄膜太阳能电池的本征层中非晶成分的多少对电池的稳定性有很大影响,微晶硅薄膜本征层晶化率越高,电池的稳定性越高,其光致衰退率也越低。()
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近年来,薄膜太阳能电池技术发展迅速。下列关于薄膜太阳能电池的说法不正确的是()。
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薄膜太阳能电池的主要优点是什么?为什么其能够在更小的厚度达到很高的光电转换效率?
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以玻璃为衬底的非晶硅薄膜太阳能电池组件制备工艺中四次用到激光切割,请简要说明每次激光切割的目的是什么?
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4、在半导体制造工艺的光刻工艺中,带有感光胶薄膜的硅片经过曝光后需要进行“曝光后烘焙”这道工序,“曝光后烘焙”的主要目的是为了什么?
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微晶硅太阳能薄膜电池的厚度通常为2-3um。
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