4、在半导体制造工艺的光刻工艺中，带有感光胶薄膜的硅片经过曝光后需要进行“曝光后烘焙”这道工序，“曝光后烘焙”的主要目的是为了什么？
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按照制造工艺可分为半导体集成电路、薄膜集成电路和（）集成电路。
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（）的打印头是一种带有发热电阻的薄膜头，是利用半导体集成电路技术制造而成的
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半导体芯片制造工艺对水质的要求一般.（）
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业之峰生态胶采用了（）新型配方及特殊工艺制造
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光刻是集成电路制造工艺发展的驱动力。
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最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。
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在集成电路制造工艺步骤中，光刻与刻蚀能把掩膜版上的图形转移到硅片上来。
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再生胶制造工艺中精炼工段的滤胶工序的作用？
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最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是哪种胶？
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光刻包括两种基本的工艺类型：负性光刻和（），两者的主要区别是所用光刻胶的种类不同，前者是（），后者是（）。
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在半导体工艺中，如果淀积的薄膜不是连续的，存在一些空隙，则（）。
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在挤出吹塑薄膜成型中，按照薄膜的牵引方向不同，挤出吹塑薄膜生产工艺可以分为（）、（）和（）。
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在半导体制造工艺中往往把减薄、划片、分片、装片、内引线键合和管壳封装等一系列工艺称为（）。
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光刻工艺中，脱水烘焙的最初温度是（）。
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在硅片制造中光刻胶的两种目的是什么？
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光刻工艺包括哪些工艺？
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在半导体工艺中，淀积的薄膜层应满足的参数包含有（）。
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由于干法刻蚀中是同时对晶片上的光刻胶及裸露出来的薄膜进行刻蚀的，所以其（）就比以化学反应的方式进行刻蚀的湿法还来得差。
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把构成门电路的基本元件制作在一小片半导体芯片上，就构成集成电路，根据制造工艺的不同，把数字集成电路分为哪两种。（）
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按照其制造工艺，可以将传感器区分为:（）、薄膜传感器、厚膜传感器、陶瓷传感器
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集成运算放大器基本构成集成运放制造工艺使得同类半导体管的（）
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3、哪个是表征光刻精度的性能指标，它不仅与光刻胶本身有关，还与光刻工艺条件和操作技术等因素有关（）。
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5、光刻工艺中常用的光源是
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波长（λ）下列哪些波长是光刻工艺中常用的（）
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