最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。
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对正性光刻来说，剩余不可溶解的光刻胶是掩膜版图案的准确复制。
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在深紫外曝光中，需要使用（）光刻胶。
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光刻胶的光学稳定通过（）来完成的。
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在深紫外曝光中，需要使用CA光刻胶，CA的含义是（）。
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曝光后烘焙，简称后烘，其对传统I线光刻胶是必需的。
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如果光刻胶在曝光前可溶于某种溶液而经过曝光后不可溶，则这种光刻胶为正胶。
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最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是哪种胶？
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光刻包括两种基本的工艺类型：负性光刻和（），两者的主要区别是所用光刻胶的种类不同，前者是（），后者是（）。
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有光刻胶覆盖硅片的三个生产区域分别为光刻区、刻蚀区和扩散区。
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什么是正光刻胶，负光刻胶？
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若计划用图示中掩膜版上黑色区域在硅片上制作扩散区，光刻时需要使用哪种光刻胶？为什么？并简介光刻操作流程。https://assets.asklib.com/psource/2015122710254016668.jpg
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光刻区使用黄色荧光灯照明的原因是，光刻胶只对特定波长的光线敏感，例如深紫外线和白光，而对黄光不敏感。
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什么是负性光刻？正性光刻？
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负性和正性光刻胶有什么区别和特点？
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在硅片制造中光刻胶的两种目的是什么？
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根据成像结果的不同，光刻胶可分为哪两种类型，其中哪种成本较低且应用较早？
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例举出两种光刻胶显影方法。例举出7种光刻胶显影参数。
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解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么？
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在深紫外曝光中，需要使用CA光刻胶，它的优点在于（）。
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3、哪个是表征光刻精度的性能指标，它不仅与光刻胶本身有关，还与光刻工艺条件和操作技术等因素有关（）。
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4、在半导体制造工艺的光刻工艺中，带有感光胶薄膜的硅片经过曝光后需要进行“曝光后烘焙”这道工序，“曝光后烘焙”的主要目的是为了什么？
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5、正性光刻胶与负性光刻胶的显影有什么不同？
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17、光刻胶的主要性能指标包括： 。
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强力HABI系列光引发剂产品主要应用于干膜光刻胶（）
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