光刻包括两种基本的工艺类型:负性光刻和(),两者的主要区别是所用光刻胶的种类不同,前者是(),后者是()。
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光刻是集成电路制造工艺发展的驱动力。
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超大规模集成电路需要光刻工艺具备的要求有()。
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步进光刻机的三个基本目标是对准聚焦、曝光和合格产量。
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最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。
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在集成电路制造工艺步骤中,光刻与刻蚀能把掩膜版上的图形转移到硅片上来。
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光刻的主要工艺流程按照操作顺序是()。
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最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是哪种胶?
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光刻工艺分为哪些步骤?
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微细加工工艺方法主要有:(),光刻加工,体刻蚀加工技术,面刻蚀加工技术,LIGA技术,()和()。
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什么是负性光刻?正性光刻?
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光刻工艺中,脱水烘焙的最初温度是()。
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负性和正性光刻胶有什么区别和特点?
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在硅片制造中光刻胶的两种目的是什么?
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光刻工艺包括哪些工艺?
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光致抗蚀剂在曝光前对某些溶剂是可溶的,曝光后硬化成不可溶解的物质,这一类抗蚀剂称为负性光致抗蚀剂,由此组成的光刻胶称为负性胶。()
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根据成像结果的不同,光刻胶可分为哪两种类型,其中哪种成本较低且应用较早?
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例举出两种光刻胶显影方法。例举出7种光刻胶显影参数。
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46、光刻工艺流程:打底膜→ →前烘 →曝光→显影→坚膜→刻蚀→去胶。
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简要叙述光刻工艺的流程及每一步的作用?
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3、哪个是表征光刻精度的性能指标,它不仅与光刻胶本身有关,还与光刻工艺条件和操作技术等因素有关()。
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5、光刻工艺中常用的光源是
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波长(λ)下列哪些波长是光刻工艺中常用的()
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5、正性光刻胶与负性光刻胶的显影有什么不同?
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16、光刻的工艺要求是: 。
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